[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010454743.1
• 申請日: 2020-05-26
• 公開（公告）號: CN111613633A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 張麗君
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L27/12;H01L49/02
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本發明涉及一種顯示面板及顯示裝置，本發明的點光源在基板上的投影區域在存儲電容在基板上的投影區域內，以此減小顯示面板內部像素的平面尺寸，提高每英寸所擁有的像素數量，提高顯示面板的擬真度，實現顯示面板更細膩的顯示效果，提高客戶體驗感。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種顯示面板及顯示裝置。

背景技術

顯示裝置可以把計算機的數據變換成各種文字、數字、符號或直觀的圖像顯示出來，并且可以利用鍵盤等輸入工具把命令或數據輸入計算機，借助系統的硬件和軟件隨時增添、刪改、變換顯示內容。顯示裝置根據所用之顯示器件分為等離子、液晶、發光二極管和陰極射線管等類型。

隨著可穿戴顯示設備的快速發展，出現了Micro LED(微發光二極管)技術。MicroLED技術即LED微縮化和矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列。Micro LED的耗電量遠小于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)，與有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)一樣屬于自發光，能夠將像素之間的距離從毫米等級降至微米等級，色彩飽和度接近OLED，相較于現有的有機發光二極管技術，MicroLED顯示裝置具有亮度更高、發光效率更好、功耗更低的優點，所以很多廠商把Micro LED視為下一代的顯示技術。

Micro LED屬電流控制器件。如圖1所示，采用micro LED的顯示背板通常需要采用2T1C架構實現電流控制，即在一個子像素內需容納T1(第一晶體管)、T2(第二晶體管)、Cst(存儲電容)、點光源。為降低T2的特性差異對micro LED亮度一致性產生的影響，產生了各種nTnC的補償驅動電路(如4T2C，6T2C)，即一個子像素內要容納更多的驅動器件。

如圖2所示，現有的2T1C架構內的2個TFT、1個電容、1個點光源采用器件平鋪的方式，即每個器件獨立占據空間，器件間不交疊。此種設計的像素平面尺寸大、無法滿足更高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)的設計需求。為了追求更細膩的顯示效果，我們需要減小像素平面尺寸。因此，需要尋求一種新型的顯示面板以實現最優化的像素設計的空間利用。

發明內容

本發明的目的是提供一種顯示面板及顯示裝置，其能夠解決現有的顯示面板中存在的像素尺寸平面大，PPI低等問題。

為了解決上述問題，本發明提供了一種顯示面板，其包括基板；存儲電容，設置于所述基板上；以及點光源，設置于所述存儲電容上方；所述點光源在所述基板上的投影區域在所述存儲電容在所述基板上的投影區域內。

進一步的，其中所述存儲電容包括第一導電層，設置于所述基板上；第一絕緣層，覆蓋于所述第一導電層上；第二導電層，設置于所述第一絕緣層上；以及第二絕緣層，設置于所述第二導電層上。

進一步的，所述顯示面板還包括第一電極，設置于所述第二絕緣層上，且通過過孔連接至所述第二導電層上；以及第二電極，設置于所述第二絕緣層上，且與所述第一電極間隔設置。

進一步的，其中所述點光源包括P極半導體，設置于所述第一電極上，且電連接于所述第一電極上；發光層，設置于所述P極半導體上；以及N極半導體，設置于所述發光層上，且電連接至所述第二電極上。

進一步的，其中所述第一導電層和所述第二導電層的材質均為金屬。

進一步的，其中所述金屬包括銅和/或鉬。

進一步的，其中所述第一電極和第二電極的材質均包括：銅、鉬以及ITO中的一種或多種。