[發明專利]一種線性穩壓器的線損補償方法及其電路有效
| 申請號: | 202010452175.1 | 申請日: | 2020-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN111367347B | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發明(設計)人: | 楊國江;王海波 | 申請(專利權)人: | 江蘇長晶科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/575 | 分類號: | G05F1/575;G05F1/573 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 湯志武 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 線性 穩壓器 補償 方法 及其 電路 | ||
1.一種線性穩壓器的線損補償電路,設置負載檢測電路和線損補償電阻,對線性穩壓器的負載電流進行直接、無損檢測,即檢測電流比例鏡像于被檢測的負載電流,從而檢測電流遠小于負載電流,此檢測電流流過大的線損補償電阻,形成線性分壓,實現在線性穩壓器的負載電流增加時,同步提升線性穩壓器的輸出電壓,以明顯降低線性穩壓器的負載電流在傳輸路徑形成壓降的影響;
其特征在于,線性穩壓器包括基準源、誤差放大器EA1、NMOS管N3、功率管Ppower1、輸出電容Cout1和負載電阻Rload1,基準源輸出的基準電壓VREF連接誤差放大器EA1的負輸入端,誤差放大器EA1的輸出連接功率管Ppower1的柵極,功率管 Ppower1的源極和襯底互連并連接電源電壓Vin,功率管Ppower1的漏極連接NMOS管N3的漏極以及輸出電容Cout1的一端和負載電阻Rload1的一端并輸出電壓Vout,NMOS管N3的柵極連基準源輸出的基準電流Ibias,NMOS管N3的源極、輸出電容Cout1的另一端和負載電阻Rload1的另一端均接地;
設置PMOS管P1、NMOS管N1和 NMOS管N2構成的負載檢測電路和線損補償電阻Rsense,PMOS管P1的源極和襯底互連并連接電源電壓Vin,PMOS管P1的柵極連接功率管Ppower1的柵極,PMOS管P1的漏極連接NMOS管N1的漏極和柵極并與NMOS管N2的柵極連接,NMOS管N1的源極和襯底以及NMOS管N2的源極和襯底均接地,NMOS管N2的漏極連接線損補償電阻Rsense的一端和誤差放大器EA1的正輸入端,線損補償電阻Rsense的另一端連接功率管Ppower1的漏極。
2.根據權利要求1所述線性穩壓器的線損補償電路,其特征在于,所述線損補償電路中所有的MOS管均采用增強型場效應管,其中,功率管Ppower1與PMOS管P1的尺寸比例為m:1,NMOS管N1與NMOS管N2的尺寸比例為n:1。
3.根據權利要求2所述線性穩壓器的線損補償電路,其特征在于,設置合適的線損補償電阻Rsense以及m和n的數值,能夠得到所需要的任意線損補償值,計算公式為:Rsense*Iload1/(m*n)= Iload1*Rt1,即滿足Rsense=(m*n)*Rt1時,則能夠補償傳輸通路的電阻分壓,確保負載上的電壓不受傳輸電阻分壓的影響,其中,Iload1為負載電流,Rt1為由輸出電壓Vout連接到負載Rload1傳輸路徑上的電阻,Rsense*Iload1/(m*n)為線損補償電壓。
4.一種線性穩壓器的線損補償電路,設置負載檢測電路和線損補償電阻,對線性穩壓器的負載電流進行直接、無損檢測,即檢測電流比例鏡像于被檢測的負載電流,從而檢測電流遠小于負載電流,此檢測電流流過大的線損補償電阻,形成線性分壓,實現在線性穩壓器的負載電流增加時,同步提升線性穩壓器的輸出電壓,以明顯降低線性穩壓器的負載電流在傳輸路徑形成壓降的影響;
其特征在于,線性穩壓器包括基準源、誤差放大器EA2、功率管Ppower2、PMOS管P2、NMOS管N4、NMOS管N6以及輸出電容Cout2和負載電阻Rload2,基準源輸出的基準電壓VREF連接誤差放大器EA2的正輸入端,誤差放大器EA2的輸出連接NMOS管N4的柵極,NMOS管N4的源極和襯底互連并接地,NMOS管N4的漏極連接PMOS管P2的柵極和漏極并與功率管Ppower2的柵極連接,PMOS管P2的源極和襯底以及功率管Ppower2的源極和襯底均連接電源電壓Vin,功率管Ppower2的漏極連接NMOS管N6的漏極以及輸出電容Cout2的一端和負載電阻Rload2的一端并輸出電壓Vout2,輸出電容Cout2的另一端和負載電阻Rload2的另一端均接地,NMOS管N6的柵極連接基準源輸出的基準電流Ibias,NMOS管N6的源極和襯底均接地;
設置NMOS管N5構成負載檢測電路和線損補償電阻Rsense2,NMOS管N5的柵極連接NMOS管N4的柵極,NMOS管N5的源極和襯底均接地,NMOS管N5的漏極連接線損補償電阻Rsense2的一端和誤差放大器EA2的負輸入端,線損補償電阻Rsense2的另一端連接功率管Ppower2的漏極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇長晶科技有限公司,未經江蘇長晶科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010452175.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





