[發明專利]基于LSTM增強模型的電子設備故障預測方法在審
| 申請號： | 202010450281.6 | 申請日： | 2020-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN111695607A | 公開（公告）日： | 2020-09-22 |
| 發明（設計）人： | 王超;吳明慧 | 申請（專利權）人： | 北京信息科技大學 |
| 主分類號： | G06K9/62 | 分類號： | G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 高倩 |
| 地址： | 100101 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 lstm 增強 模型 電子設備 故障 預測 方法 | ||
1.基于LSTM增強模型的電子設備故障預測方法，其特征在于，所述方法具體如下：
步驟一、采集電子設備運行過程中的監測數據，并對所述監測數據進行預處理；
步驟二、搭建LSTM增強模型，將預處理后的監測數據輸入到所述LSTM增強模型里進行訓練，得到訓練后的LSTM增強模型；
所述LSTM增強模型基于LSTM進行搭建，具體步驟如下：
步驟二一、前一時刻細胞狀態經過遺忘門后輸出待記憶部分和遺忘部分，所述遺忘部分根據所述待記憶部分得到，前一時刻細胞狀態-待記憶部分＝遺忘部分；
步驟二二、將所述待記憶部分和所述遺忘部分分別賦予權值；
步驟二三、將賦予權值的遺忘部分和待記憶部分均加入當前時刻細胞狀態，對當前時刻細胞狀態進行更新；
步驟三、根據訓練后的LSTM增強模型和一段時間內的監測數據，對電子設備故障進行預測。
2.根據權利要求1所述的基于LSTM增強模型的電子設備故障預測方法，其特征在于，所述LSTM增強模型中，待記憶部分為Ct-1(r)，遺忘部分為Ct-1(f)；
則當前時刻細胞狀態為：
式中，Ct-1為前一時刻細胞狀態，Ct為當前時刻細胞狀態，W1為賦予遺忘部分的權值，W2為賦予待記憶部分的權值，it為輸入門中使用sigmoid激活函數實現的控制單元，為輸入門中使用tanh激活函數的記憶單元，ft為遺忘門的值，Θ為哈達瑪積。
3.根據權利要求1或2所述的基于LSTM增強模型的電子設備故障預測方法，其特征在于，在LSTM的記憶單元里，由原有遺忘門的基礎上，增加了強化門，強化門的取值范圍為[0,1]。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京信息科技大學，未經北京信息科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010450281.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種窄空刀槽人字齒輪偏距成形加工方法
- 下一篇：一種深度圖像去噪方法及裝置
