[發(fā)明專利]一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010446626.0 | 申請日: | 2020-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN111640829A | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 董金礦;汪玉;黃文賓;周宏敏;李政鴻;林兓兓;張家豪 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/14 | 分類號: | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 241000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 復合 電子 阻擋 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,至少包括:
襯底;
N型半導體層,位于襯底上;
有源層,位于N型半導體層上;
P型半導體層,位于有源層上;
N電極,電連接于N型半導體層;
P電極,電連接于P型半導體層;
其特征在于:
還包括復合電子阻擋層,所述復合電子阻擋層為AlxInyGa1-x-yN層和石墨烯層周期性交替層疊形成,位于有源層和P型半導體層之間,其中0x1,0y1,x+y1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述AlxInyGa1-x-yN層中通過調(diào)節(jié)Al與In的配比,使AlxInyGa1-x-yN層的功函數(shù)與石墨烯層功函數(shù)匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述AlxInyGa1-x-yN層中Al組分含量由有源層一側(cè)向P型層一側(cè)逐層遞減。
4.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述AlxInyGa1-x-yN層中Al組分含量由有源層一側(cè)向P型層一側(cè)按照10%~50%的比例逐層遞減。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述AlxInyGa1-x-yN層為p型摻雜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述p型摻雜的雜質(zhì)濃度小于1E19/cm3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述復合電子阻擋層的厚度范圍為20-300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述復合電子阻擋層中的一個周期中AlxInyGa1-x-yN層的厚度范圍10~30nm,石墨烯層的厚度范圍為0.3~3nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述復合電子阻擋層中AlxInyGa1-x-yN層與石墨烯層的層數(shù)相同,所述復合電子阻擋層的周期數(shù)范圍為2~10。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述復合電子阻擋層的一個周期中石墨烯層靠近有源層一側(cè),AlxInyGa1-x-yN層靠近P型半導體層一側(cè)。
11.一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管的制作方法,包括如下步驟:
提供一襯底,在所述襯底上依次沉積N型半導體、有源層和P型半導體層,其特征在于:在所述有源層和P型半導體層之間沉積復合電子阻擋層,所述復合電子阻擋層為AlxInyGa1-x-yN層和石墨烯層周期性交替層疊形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種具有復合電子阻擋層的發(fā)光二極管,其特征在于:所述復合電子阻擋層的生長溫度范圍為700~1000℃、壓力200~500torr、轉(zhuǎn)速900~1200rpm。
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