[發(fā)明專利]一種彎曲不敏感單模光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010445469.1 | 申請日： | 2020-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN111505763B | 公開（公告）日： | 2022-10-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 肖敏;楊思美;柳濤;蔡釗;姜金辰 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢庫克光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/036 | 分類號： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 武漢臻誠專利代理事務所(普通合伙) 42233 | 代理人： | 胡星馳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖新技*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 彎曲 敏感 單模 光纖 | ||
1.一種彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，包括由內(nèi)至外依次排列的芯層、內(nèi)包層、以及外包層，所述內(nèi)包層具有壓應力，其壓應力的絕對值大于芯層壓應力；
其芯層壓應力的絕對值介于10MPa～40MPa之間；其內(nèi)包層壓應力的絕對值介于20MPa～50MPa之間；
所述芯層的半徑為R1，所述內(nèi)包層的半徑為R2，R2為15μm～25μm，設光纖橫截面上任一點到光纖中心的距離為x，直徑方向任一點的壓應力絕對值為f，那么沿直徑方向上由下式表示的內(nèi)包層壓應力積分值為F為0.7MPa·μm2以上且25MPa·μm2以下；
2.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述光纖在室溫下其芯層具有壓應力，且其芯層壓應力的絕對值介于15MPa～35MPa之間。
3.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述光纖在室溫下其內(nèi)包層具有壓應力，且其內(nèi)包層壓應力的絕對值介于25MPa～45MPa之間。
4.如權(quán)利要求1所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，F(xiàn)值為1.1MPa·μm2以上且12MPa·μm2以下。
5.如權(quán)利要求4所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，F(xiàn)值為2.1MPa·μm2以上且5.1MPa·μm2以下。
6.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述芯層為含有鍺的石英玻璃，芯層鍺的摩爾含量百分比為2～15mol％。
7.如權(quán)利要求6所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，芯層鍺的摩爾含量百分比為3～7mol％。
8.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述內(nèi)包層為至少摻有氟的石英玻璃，其中氟的摩爾含量百分比為0到6mol％。
9.如權(quán)利要求8所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，內(nèi)包層中氟的摩爾含量百分比為0.3到3mol％。
10.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述芯層的半徑R1為3.5μm～4.5μm。
11.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述的光纖在1625nm波長處，
對于圍繞15毫米彎曲半徑繞10圈彎曲附加損耗小于或等于0.1dB；
對于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.2dB；
對于圍繞7.5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于1.0dB；
在1550nm波長處，
對于圍繞15毫米彎曲半徑繞10圈彎曲附加損耗小于或等于0.03dB；
對于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.1dB；
對于圍繞7.5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.5dB。
12.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述的光纖具有小于或等于1260nm的光纜截止波長。
13.如權(quán)利要求1至5任意一項所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于，所述的光纖在-65℃到85℃，1310nm～1625nm波長范圍內(nèi)的溫度附加衰減小于0.02dB/km。
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