[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010441698.6 | 申請日: | 2020-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN111584592B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 舒適;王雷;徐傳祥;岳陽;李翔;姚琪 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及顯示技術領域,提出一種顯示面板及其制備方法。該顯示面板包括背板、封裝結構、相位延遲片、線偏光片和彩膜層;背板包括襯底基板及設在襯底基板之上的光電傳感結構和發(fā)光結構,發(fā)光結構包括發(fā)光層;封裝結構設于光電傳感結構和發(fā)光結構的遠離襯底基板的一面;相位延遲片設于封裝結構的遠離背板的一面;線偏光片設于相位延遲片的遠離背板的一面;彩膜層設于線偏光片的遠離背板的一面,彩膜層包括多個色阻區(qū),色阻區(qū)在背板上的正投影與發(fā)光層在背板上的正投影重合;相位延遲片至少位于多個色阻區(qū)之間,至少填充滿多個色阻區(qū)之間的間隙;線偏光片在背板上的正投影與相位延遲片在背板上的正投影重合。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板和顯示面板的制備方法。
背景技術
目前OLED面板相對于LCD最顯著的特點是全固態(tài)顯示(不含液晶),在彎曲甚至折疊能力上有明顯優(yōu)勢。
為了提高OLED產(chǎn)品彎折性能,需要持續(xù)減薄模組厚度。為了解決該問題,人們采用了將觸控結構整合在封裝層上(TOT/Touch on TFE)和彩膜層整合在封裝層上(COE/CF onEncapsulation)的方法,大幅降低了模組厚度;但是,采用該方法后會導致無法進行指紋識別的缺陷。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本發(fā)明的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現(xiàn)有技術的信息。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術的無法進行指紋識別的不足,提供一種能夠進行指紋識別的顯示面板和顯示面板的制備方法。
本發(fā)明的額外方面和優(yōu)點將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從描述中變得顯然,或者可以通過本發(fā)明的實踐而習得。
根據(jù)本公開的一個方面,提供一種顯示面板,包括:
背板,包括襯底基板,以及設置在所述襯底基板之上的光電傳感結構和發(fā)光結構,所述發(fā)光結構包括發(fā)光層;
封裝結構,設于所述光電傳感結構和所述發(fā)光結構的遠離所述襯底基板的一面;
相位延遲片,設于所述封裝結構的遠離所述背板的一面;
線偏光片,設于所述相位延遲片的遠離所述背板的一面;
彩膜層,設于所述線偏光片的遠離所述背板的一面,所述彩膜層包括多個色阻區(qū),所述色阻區(qū)在所述背板上的正投影與所述發(fā)光層在所述背板上的正投影重合;
其中,所述相位延遲片至少位于多個所述色阻區(qū)之間,至少填充滿多個所述色阻區(qū)之間的間隙;所述線偏光片在所述背板上的正投影與所述相位延遲片在所述背板上的正投影重合。
在本公開的一種示例性實施例中,
所述光電傳感結構包括:
第一薄膜晶體管,設于所述襯底基板之上;
光電傳感器件,設于所述第一薄膜晶體管的遠離所述襯底基板的一面,并與所述第一薄膜晶體管電連接;
所述發(fā)光結構包括:
第二薄膜晶體管,設于所述襯底基板之上;
發(fā)光器件,設于所述第二薄膜晶體管的遠離所述襯底基板的一面,并與所述第二薄膜晶體管電連接,所述發(fā)光器件包括所述發(fā)光層;
所述光電傳感器件在所述襯底基板上的正投影與所述發(fā)光層在所述襯底基板上的正投影不交疊。
在本公開的一種示例性實施例中,所述顯示面板還包括:
第一保護層,設于所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的遠離所述襯底基板的一面;
第一平坦化層,設于所述第一保護層的遠離所述襯底基板的一面;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





