[發(fā)明專利]納米晶材料檢測系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010441497.6
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111573275B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 蒙海;魏子健;聞劉勇;任瀟;周明;曹葵康;蔡雄飛;徐一華
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州天準科技股份有限公司
• 主分類號: B65G47/91
• 分類號: B65G47/91;B65G29/00;B65B69/00;B65H18/08;G01D21/02
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 徐穎聰

1.一種納米晶材料檢測系統(tǒng)，其特征在于，從上游至下游依次包括剝料設備(1000)、搬運設備(2000)、納米晶材料檢測設備(3000)及下料設備(4000)，

所述剝料設備(1000)，用于對含有納米晶材料的來料進行剝料，所述來料由從上至下依次層疊的隔離膜、納米晶材料、基膜所形成的層狀材料卷繞形成的料卷；

所述搬運設備(2000)，用于將經(jīng)過所述剝料設備(1000)剝料后的納米晶材料搬運至納米晶材料檢測設備(3000)；

納米晶材料檢測設備(3000)，用于將所述搬運設備(2000)搬運過來的所述納米晶材料進行檢測；

所述下料設備(4000)，用于將經(jīng)過所述納米晶材料檢測設備(3000)檢測的納米晶材料進行下料，

其中，所述剝料設備(1000)包括：

置料裝置，所述置料裝置包括置料軸(1110)，及連接所述置料軸(1110)的制動器(1120)；

隔離膜回收裝置，所述隔離膜回收裝置位于所述置料裝置的上方，包括隔離膜回收軸(1210)，及連接并帶動所述隔離膜回收軸(1210)轉(zhuǎn)動的第一電機(1220)；

基膜回收裝置，所述基膜回收裝置與所述置料裝置間隔設置，包括基膜回收軸(1310)，及連接并帶動所述基膜回收軸(1310)轉(zhuǎn)動的第二電機(1320)；

傳輸裝置，所述傳輸裝置位于所述置料軸(1110)和所述基膜回收軸(1310)的上方，用于承載所述基膜、納米晶材料并將所述納米晶材料從所述基膜上剝離，所述傳輸裝置包括傳輸平臺(1400)，所述傳輸平臺(1400)上形成有貫穿所述傳輸平臺(1400)的上下表面的縫隙(1440)，以使得附有納米晶材料的基膜穿過所述縫隙(1440)時，將所述納米晶材料從所述基膜上剝離；其中，

所述傳輸平臺(1400)從前往后依次包括上表面齊平的第一傳輸平臺(1410)、直角三角形楔塊(1420)和第二傳輸平臺(1430)，所述直角三角形楔塊(1420)的直角邊與所述第一傳輸平臺(1410)相連，且其后端位置與所述第二傳輸平臺(1430)之間留有所述縫隙(1440)；

所述納米晶材料檢測設備(3000)包括對從所述搬運設備(2000)所搬運過來的所述納米晶材料進行電性能檢測的納米晶材料電性能檢測裝置(3400)，所述納米晶材料電性能檢測裝置(3400)包括：

升降平臺(3410)，所述升降平臺(3410)用于承載納米晶材料；

驅(qū)動裝置(3420)，所述驅(qū)動裝置(3420)與所述升降平臺(3410)相連，用于驅(qū)動所述升降平臺(3410)進行升降運動；

電檢測單元，所述電檢測單元設置在所述升降平臺(3410)的上方；

壓力檢測裝置，所述壓力檢測裝置連接所述電檢測單元，用于檢測所述電檢測單元與納米晶材料之間的壓力，

所述電檢測單元用于檢測在所述壓力狀態(tài)下的所述納米晶材料的電性能；

所述納米晶材料檢測設備(3000)還包括：

第二轉(zhuǎn)盤(3510)，所述納米晶材料電性能檢測裝置(3400)圍繞所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)設置，所述升降平臺(3410)設置在所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)的周向，通過旋轉(zhuǎn)所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)能夠使得所述升降平臺(3410)在接料工位、電性能檢測工位及轉(zhuǎn)料工位之間轉(zhuǎn)換；

第二驅(qū)動裝置(3520)，所述第二驅(qū)動裝置(3520)設置在所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)的底部且連接所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)，用于驅(qū)動所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)轉(zhuǎn)動；

所述納米晶材料檢測設備(3000)還包括：

厚度檢測裝置(3100)，用于對納米晶材料的厚度進行檢測；

二維尺寸檢測裝置(3300)，用于對納米晶材料二維尺寸進行檢測；

第一轉(zhuǎn)盤(3610)，所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)設置在所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)的下游，所述厚度檢測裝置(3100)和所述二維尺寸檢測裝置(3300)間隔開地圍繞所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)設置，所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)周向設置有檢測平臺(3200)，所述檢測平臺(3200)用于承載待檢測用納米晶材料，通過旋轉(zhuǎn)所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)能夠使得所述升降平臺(3410)在接轉(zhuǎn)料工位、厚度檢測工位及尺寸檢測工位之間轉(zhuǎn)換；

第一驅(qū)動裝置(3620)，所述第一驅(qū)動裝置(3620)設置在所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)的底部且連接所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)，用于驅(qū)動所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)轉(zhuǎn)動；

轉(zhuǎn)移裝置(3900)，所述轉(zhuǎn)移裝置(3900)設置在所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)和所述第二轉(zhuǎn)盤(3510)的同一左側(cè)或右側(cè)，包括用于吸附納米晶材料的吸盤(3920)及驅(qū)動所述吸盤(3920)進行移動的電機(3910)，以將承載在所述升降平臺(3410)的納米晶材料轉(zhuǎn)移至所述檢測平臺(3200)，并將承載在所述檢測平臺(3200)的納米晶材料轉(zhuǎn)移出所述第一轉(zhuǎn)盤(3610)，所述轉(zhuǎn)移裝置(3900)至少包括兩個具有第一預定間隔的所述吸盤(3920)，以將承載在所述升降平臺(3410)的納米晶材料轉(zhuǎn)移至所述檢測平臺(3200)，同步將成承載在所述檢測平臺(3200)的納米晶材料轉(zhuǎn)移至下料暫存平臺。