[發明專利]半導體清洗設備

在審

• 申請號: 202010440910.7
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111489959A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 初國超
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體清洗設備，包括清洗槽、工藝液體管路和硅片保護裝置，所述工藝液體管路與所述清洗槽連接，用于向所述清洗槽內通入工藝液體，其特征在于，所述硅片保護裝置與所述清洗槽連接，用于向所述清洗槽內通入稀釋液體；所述硅片保護裝置包括稀釋管路、通斷組件和第一控制單元，其中，所述稀釋管路的一端與所述清洗槽連接，另一端與液體源連接；

所述第一控制單元與所述通斷組件連接，用于向所述通斷組件發送第一控制信號；

所述通斷組件設置在所述稀釋管路上，用于根據所述第一控制信號使所述稀釋管路通斷，且所述通斷組件在未接收到所述第一控制信號時，使所述稀釋管路處于連通狀態。

2.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述通斷組件包括氣動管路、第一通斷閥和第二通斷閥，其中，所述第二通斷閥設置在所述稀釋管路上，所述氣動管路的一端與所述第二通斷閥連接，另一端與氣體源連接，所述氣體源用于向所述通斷組件提供氣體動力；

所述第一控制單元用于向所述第一通斷閥發送所述第一控制信號，以控制所述第一通斷閥打開或者關閉；所述第一通斷閥設置在所述氣動管路上；且所述第一通斷閥在未接收到所述第一控制信號時處于常開狀態。

3.根據權利要求2所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述硅片保護裝置還包括第二控制單元，所述通斷組件還包括第三通斷閥，所述第二控制單元用于向所述第三通斷閥發送第二控制信號，以控制所述第三通斷閥打開或者關閉；

所述第三通斷閥設置在所述氣動管路上，并與所述第一通斷閥并聯設置。

4.根據權利要求3所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述稀釋管路包括相互并聯的第一稀釋支路和第二稀釋支路，所述氣動管路包括第一氣動支路和第二氣動支路，所述第二通斷閥為兩個，兩個所述第二通斷閥分別設置在所述第一稀釋支路和所述第二稀釋支路上；

所述第一氣動支路的一端與兩個所述第二通斷閥中的一個連接，另一端與所述氣體源連接，所述第二氣動支路的一端與兩個所述第二通斷閥中的另一個連接，另一端與所述氣體源連接；

所述第一通斷閥設置在所述第一氣動支路上，所述第三通斷閥設置在所述第二氣動支路上。

5.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述通斷組件包括第一通斷閥，所述第一控制單元用于向所述第一通斷閥發送所述第一控制信號；

所述第一通斷閥設置在所述稀釋管路上，并根據所述第一控制信號打開或者關閉，以使所述稀釋管路通斷，且所述第一通斷閥在未接收到所述第一控制信號時處于常開狀態。

6.根據權利要求3或4所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述第一通斷閥包括常開式電磁閥，所述第二通斷閥包括常閉式氣動閥，所述第三通斷閥包括常閉式電磁閥。

7.根據權利要求3所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述氣動管路上設置有單向閥，且所述單向閥與所述第三通斷閥串聯設置，用于阻止自所述氣體源進入所述氣動管路中的氣體經過所述第三通斷閥從所述氣動管路中流出。

8.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述稀釋管路上還設置有手動開關閥、流量調節閥或壓力調節閥，其中，所述手動開關閥用于供人工操作打開或者關閉，以使所述稀釋管路通斷，所述流量調節閥用于調節所述液體源提供的液體經過所述稀釋管路的流量，所述壓力調節閥用于調節所述液體源提供的液體經過所述稀釋管路的壓力。

9.根據權利要求8所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述稀釋管路上還設置有單向閥，所述單向閥用于阻止所述清洗槽中的液體經過所述稀釋管路流向所述液體源。

10.根據權利要求1所述的半導體清洗設備，其特征在于，所述清洗槽的側壁上設置有溢出管，所述溢出管與所述清洗槽的內部連通，并位于所述清洗槽的預設高度，用于使所述清洗槽中達到所述預設高度的所述工藝液體排出。