[發(fā)明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010440526.7
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN112310283A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 莊景誠
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

本公開提供一種半導體元件及其制備方法。該制備方法包括：提供一基底；在該基底上方形成一生長基膜；在該生長基膜中形成多個摻雜段以及多個未摻雜段；在所述多個未摻雜段上選擇地形成多個隔離段；移除所述多個摻雜段；以及在該基底上方形成多個電容結構。

技術領域

本公開主張2019/07/29申請的美國正式申請案第16/524,811號的優(yōu)先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

本公開涉及一種半導體元件及其制備方法。特別涉及一種具有選擇地形成多個隔離段的半導體元件及其制備方法。

背景技術

半導體元件是使用在不同的電子應用中，例如個人電腦、移動電話、數(shù)碼相機，以及其他電子設備。半導體元件的尺寸持續(xù)地等比例縮小，以符合運算力(computingability)的需求。然而，許多的問題的變異是出現(xiàn)在等比例縮小制程期間，并影響其最終電子特性、品質以及良率。因此，在達到改善品質、良率以及可靠度上仍具有挑戰(zhàn)性。

上文的“現(xiàn)有技術”說明僅是提供背景技術，并未承認上文的“現(xiàn)有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現(xiàn)有技術，且上文的“現(xiàn)有技術”的任何說明均不應作為本公開的任一部分。

發(fā)明內容

本公開的一實施例提供一種半導體元件制備方法，包括：提供一基底；在該基底上方形成一生長基膜；在該生長基膜中形成多個摻雜區(qū)以及多個未摻雜區(qū)；在所述多個未摻雜區(qū)上選擇地形成多個隔離段；移除所述多個摻雜段；以及在該基底上方形成多個電容結構。

在一些實施例中，所述多個摻雜段與所述多個未摻雜段在該生長基膜中的形成，包括以一光刻膠層與一遮罩圖案化該生長基膜、從該生長基膜上方進行植入，以及移除該光刻膠層。

在一些實施例中，該基底由硅、摻雜硅、硅鍺、絕緣體上覆硅、藍寶石上覆硅、絕緣體上覆硅鍺、碳化硅、鍺、砷化鎵、磷化鎵、磷砷化鎵、磷化銦、或磷化銦鎵所制。

在一些實施例中，該生長基膜由一隔離材料所制，該隔離材料不含氮。

在一些實施例中，該生長基膜由氧化硅、未摻雜硅玻璃、硼二氧化硅玻璃、磷硅酸鹽玻璃、或硼磷硅酸鹽玻璃所制。

在一些實施例中，所述多個隔離段由化學氣相沉積所形成，該化學氣相沉積存在有臭氧與四乙氧基硅烷。

在一些實施例中，所述多個摻雜段包含氮。

在一些實施例中，所述多個電容結構中的每一個包括一底電極、一電容隔離層以及一頂電極。

在一些實施例中，所述的半導體元件的制備方法，還包括在提供該基底之后，在該基底中形成多個隔離結構。

在一些實施例中，所述的半導體元件的制備方法，還包括在該基底上方形成多個位元線接觸點。

在一些實施例中，所述的半導體元件的制備方法，還包括在該基底上方形成多個位元線。

在一些實施例中，該電容隔離層由鍶鈦酸鋇、鋯鈦酸鉛、氧化鈦、氧化鋁、氧化鉿、氧化釔、或氧化鋯所制。

在一些實施例中，所述多個電容隔離層由多層所形成，該多層包含氧化硅層、氮化硅層以及氧化硅層。

在一些實施例中，該底電極由摻雜多晶硅、金屬硅化物、銅或鎢所制。

在一些實施例中，該頂電極由摻雜多晶硅、銅或鋁所制。

在一些實施例中，所述多個隔離結構由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅或摻氟硅酸鹽所制。

在一些實施例中，所述多個位元線接觸點由鋁、銅、鎢、鈷，或其組合所制。

在一些實施例中，所述多個位元線由鋁或銅所制。