[發明專利]碳磨料和拋光漿料以及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 202010439721.8
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN112480867A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 高井健次;金度潤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14;C09G1/02;H01L21/3105
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王華芹;金擬粲

1.碳磨料，其包括：

碳納米顆粒，以及

設置在所述碳納米顆粒的表面上的帶正電的聚合物。

2.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳納米顆粒包括如下的至少一種：富勒烯、富勒烯衍生物、石墨烯、石墨、碳納米管、或碳點。

3.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳納米顆粒的平均粒徑小于3納米。

4.如權利要求3所述的碳磨料，其中所述碳磨料的平均粒徑是所述碳納米顆粒的平均粒徑的2至10倍大。

5.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳磨料的平均粒徑為2納米至10納米。

6.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述帶正電的聚合物在水中是能溶解的或能分散的。

7.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述帶正電的聚合物包括含氮官能團。

8.如權利要求7所述的碳磨料，其中所述含氮官能團包括如下的至少一種：氨基基團、胺基團、銨基團、或含氮雜環基團。

9.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述帶正電的聚合物包括聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯基吡咯烷酮的衍生物。

10.如權利要求9所述的碳磨料，其中所述聚乙烯基吡咯烷酮或所述聚乙烯基吡咯烷酮的衍生物的重均分子量為3,000克/摩爾至150,000克/摩爾。

11.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述帶正電的聚合物鍵合至所述碳納米顆粒的表面或吸附至所述碳納米顆粒的表面。

12.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳納米顆粒被所述帶正電的聚合物鈍化。

13.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳納米顆粒與所述帶正電的聚合物的重量比在1:5至1:1000的范圍內。

14.如權利要求1所述的碳磨料，其中所述碳磨料在水中呈現正電荷。

15.拋光漿料，其包括如權利要求1-14任一項所述的碳磨料。

16.如權利要求15所述的拋光漿料，其進一步包括氧化劑、螯合劑、表面活性劑、分散劑、pH控制劑、溶劑、或其組合。

17.制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在基材上形成包括第一材料的第一層，

在所述第一層中形成多個溝槽，

在所述第一層上和在所述溝槽內形成包括第二材料的第二層，所述第二材料不同于所述第一材料，以及

使用如權利要求15或16所述的拋光漿料將所述第二層的表面化學機械拋光。

18.如權利要求17所述的方法，其中所述第二材料為金屬或絕緣體。

19.如權利要求17所述的方法，其中所述第一材料為氮化硅，且所述第二材料為氧化硅。

20.如權利要求17或19所述的方法，其中所述拋光漿料具有大于或等于500的所述第二層相對于所述第一層的拋光選擇性。