[發(fā)明專利]半導體封裝結構及其封裝方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010439310.9
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111540691A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 楊志強
• 申請（專利權）人: 東莞鏈芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 熊思遠

1.半導體封裝結構，其特征在于，包括：

芯片；

銀焊墊，所述銀焊墊包括有引線焊墊；

引線，一端連接所述引線焊墊，另一端連接所述芯片；

封裝體，包覆所述芯片和引線，且所述引線焊墊凸出于所述封裝體下表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述銀焊墊包括有芯片焊墊，所述芯片設置在所述芯片焊墊上，所述芯片焊墊凸出于所述封裝體下表面。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝結構，包括有DAF膜，所述DAF膜凸出于所述封裝體下表面，且所述DAF膜一側與所述芯片粘接。

4.半導體封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

在金屬板件對應引線焊墊的位置設置貯液槽；

在所述貯液槽內注入液態(tài)銀材料；

使所述液態(tài)銀材料在所述貯液槽內固化成銀焊墊；

將引線的兩端分別連接至芯片及固化得到的引線焊墊上；

封裝，并使封裝體從金屬板件上方包覆芯片及引線；

去除金屬板件；

切割形成獨立封裝芯片。

5.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述液態(tài)銀材料為低溫燒結銀漿或光固化銀漿中的任一一種。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，通過烘烤或光固化或激光燒結的方式使所述液態(tài)銀材料在所述貯液槽內固化成銀焊墊。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體封裝方法，其特征在于，通過烘烤固化所述液態(tài)銀材料前，在所述金屬板件上表面預設抗氧化保護層；或者通過烘烤固化所述液態(tài)銀材料時，通過保護氣體避免所述金屬板件氧化。

8.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述液態(tài)銀材料通過3D打印的方式注入所述貯液槽內。

9.根據(jù)權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述貯液槽通過激光切割或者化學蝕刻的方式開設在所述金屬板件上。

10.根據(jù)權利要求4-9任一項所述的半導體封裝方法，其特征在于，在所述金屬板件上對應芯片焊墊的位置同樣開設所述貯液槽。