[發明專利]具有環繞式電極的半導體裝置

在審

• 申請號: 202010439067.0
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN112038399A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 托尼·范胡克;馬哈茂德·謝哈布·穆罕默德·阿爾沙蒂
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 莊錦軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體襯底；

第一半導體區域，所述第一半導體區域形成于所述半導體襯底內；

第二半導體區域，所述第二半導體區域形成于所述半導體襯底內；

第一電極，所述第一電極耦接到所述第一半導體區域；

第二電極，所述第二電極耦接到所述第二半導體區域并且接近所述第一電極，其中所述第二電極被所述第一電極環繞；

第三電極，所述第三電極耦接到所述第一電極并且耦接到所述第一半導體區域，其中所述第三電極包括所述第一電極的共享部分；以及

第四電極，所述第四電極耦接到所述第二半導體區域并且接近所述第三電極，其中所述第四電極耦接到所述第二電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一電極被配置為陽極，所述第二電極被配置為陰極，所述第三電極被配置為陽極，并且所述第四電極被配置為陰極。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一電極被配置為陰極，所述第二電極被配置為陽極，所述第三電極被配置為陰極，并且所述第四電極被配置為陽極。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一半導體區域形成于所述半導體襯底的上部部分中，并且所述第二半導體區域形成于所述第一半導體區域下方。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一半導體區域包括p型半導體，并且所述第二半導體區域包括n型半導體。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一半導體區域包括n型半導體，并且所述第二半導體區域包括p型半導體。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，第三半導體區域形成于所述第一半導體區域與所述第二半導體區域之間。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一電極被配置為環繞所述第二電極的環。

9.一種半導體二極管，其特征在于，包括：

半導體襯底；

n型半導體區域，所述n型半導體區域形成于所述半導體襯底內；

p型半導體區域，所述p型半導體區域形成于所述半導體襯底內、鄰近所述n型半導體區域；

第一子單元，所述第一子單元包括：

第一陽極，所述第一陽極耦接到所述p型半導體區域；以及

陰極，所述陰極耦接到n型半導體區域并且接近所述第一陽極，其中第一陰極被所述第一陽極環繞；

第二子單元，所述第二子單元包括：

第二陽極，所述第二陽極耦接到所述第一陽極和第二p型半導體區域，其中所述第二陽極包括所述第一陽極的共享部分；以及

第二陰極，所述第二陰極耦接到所述n型區域并且接近所述第二陽極，其中所述第二陰極耦接到所述第一陰極；并且

其中所述第一子單元鄰近所述第二子單元形成。

10.一種半導體p-i-n二極管，其特征在于，包括：

硅襯底；

p型半導體區域，所述p型半導體區域形成于所述硅襯底內；

n型半導體區域，所述n型半導體區域鄰近所述p型半導體區域形成；

本征半導體區域，所述本征半導體區域形成于所述p型半導體區域與所述n型半導體區域之間；

第一陽極，所述第一陽極耦接到所述p型半導體區域；

第一陰極，所述第一陰極耦接到n型半導體區域并且接近所述陽極，其中所述第一陰極被所述第一陽極環繞；

第二陽極，所述第二陽極耦接到所述p型半導體區域；

第二陰極，所述第二陰極耦接到所述n型半導體區域并且接近所述第二陽極，其中所述第二陽極的一部分包括所述第一陽極；以及

隔離區域，所述隔離區域圍繞所述第一陽極、所述第一陰極、所述第二陽極和所述第二陰極。