[發(fā)明專利]具有導(dǎo)電底部填充接地平面的封裝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010439066.6
• 申請(qǐng)日: 2020-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN112086427A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尼尚特·拉赫拉;阿希萊什·庫(kù)馬爾·辛格;馮志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦美國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L23/31;H01L23/58
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體管芯；

載體；

多個(gè)電連接，所述多個(gè)電連接形成于所述半導(dǎo)體管芯與所述載體之間；

電隔離層，所述電隔離層覆蓋所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接的外表面；以及

在所述半導(dǎo)體管芯與所述載體之間并圍繞所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接的導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)，其中所述電隔離層將每個(gè)電連接與所述導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)電隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體管芯包括連接到所述半導(dǎo)體管芯內(nèi)的有源電路系統(tǒng)的多個(gè)管芯焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接包括：

形成于一組所述多個(gè)管芯焊盤中的每個(gè)管芯焊盤上的凸點(diǎn)下金屬化(UBM)，以及

形成于所述一組所述多個(gè)管芯焊盤的所述UBM上的多個(gè)接頭。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接包括：

形成于所述一組所述多個(gè)管芯焊盤上的多個(gè)接頭。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述多個(gè)管芯焊盤中的至少一個(gè)管芯焊盤是連接到接地線的接地管芯焊盤，

在所述接地管芯焊盤上形成有凸點(diǎn)下金屬化(UBM)，并且

所述導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)直接接觸并電連接到所述UBM。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述載體包括多個(gè)連接焊盤，并且

所述多個(gè)電連接附接到一組所述多個(gè)連接焊盤。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體管芯嵌入封裝體中，并且

在所述半導(dǎo)體管芯的有源面之上形成有重新分布層(RDL)結(jié)構(gòu)，其中

所述RDL結(jié)構(gòu)包括將所述一組所述多個(gè)管芯焊盤與所述RDL結(jié)構(gòu)的外表面上的一組接觸焊盤電連接的連接路徑，并且

所述多個(gè)電連接附接到所述一組接觸焊盤。

8.一種用于制作封裝半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

將介電包封料施涂到半導(dǎo)體管芯上的多個(gè)電連接或載體上的一組連接焊盤；

執(zhí)行回流工藝以將所述多個(gè)電連接附接到所述一組連接焊盤，其中

所述介電包封料被配置成在所述回流工藝期間吸離給定電連接與相應(yīng)連接焊盤之間的界面，并且

所述介電包封料被另外配置成在所述電連接附接到所述一組連接焊盤之后固化成覆蓋所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接的外表面的電隔離層；以及

在所述半導(dǎo)體管芯與所述載體之間形成圍繞所述多個(gè)電連接中的每個(gè)電連接的導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)，其中所述電隔離層將每個(gè)電連接與所述導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)電隔離。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電底部填充結(jié)構(gòu)直接接觸并電連接到所述半導(dǎo)體管芯上、所述載體上、或兩者上的至少一個(gè)接地焊盤。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，

所述介電包封料被另外配置成沿多個(gè)接頭的外表面芯吸，上至所述半導(dǎo)體管芯的鈍化表面并且下至所述載體的鈍化表面。