[發明專利]具有導電底部填充接地平面的封裝

在審

• 申請號: 202010439066.6
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN112086427A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 尼尚特·拉赫拉;阿希萊什·庫馬爾·辛格;馮志成
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/58
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種封裝半導體裝置，其特征在于，包括：

半導體管芯；

載體；

多個電連接，所述多個電連接形成于所述半導體管芯與所述載體之間；

電隔離層，所述電隔離層覆蓋所述多個電連接中的每個電連接的外表面；以及

在所述半導體管芯與所述載體之間并圍繞所述多個電連接中的每個電連接的導電底部填充結構，其中所述電隔離層將每個電連接與所述導電底部填充結構電隔離。

2.根據權利要求1所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述半導體管芯包括連接到所述半導體管芯內的有源電路系統的多個管芯焊盤。

3.根據權利要求2所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述多個電連接中的每個電連接包括：

形成于一組所述多個管芯焊盤中的每個管芯焊盤上的凸點下金屬化(UBM)，以及

形成于所述一組所述多個管芯焊盤的所述UBM上的多個接頭。

4.根據權利要求2所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述多個電連接中的每個電連接包括：

形成于所述一組所述多個管芯焊盤上的多個接頭。

5.根據權利要求2所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述多個管芯焊盤中的至少一個管芯焊盤是連接到接地線的接地管芯焊盤，

在所述接地管芯焊盤上形成有凸點下金屬化(UBM)，并且

所述導電底部填充結構直接接觸并電連接到所述UBM。

6.根據權利要求1所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述載體包括多個連接焊盤，并且

所述多個電連接附接到一組所述多個連接焊盤。

7.根據權利要求2所述的封裝半導體裝置，其特征在于，

所述半導體管芯嵌入封裝體中，并且

在所述半導體管芯的有源面之上形成有重新分布層(RDL)結構，其中

所述RDL結構包括將所述一組所述多個管芯焊盤與所述RDL結構的外表面上的一組接觸焊盤電連接的連接路徑，并且

所述多個電連接附接到所述一組接觸焊盤。

8.一種用于制作封裝半導體裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

將介電包封料施涂到半導體管芯上的多個電連接或載體上的一組連接焊盤；

執行回流工藝以將所述多個電連接附接到所述一組連接焊盤，其中

所述介電包封料被配置成在所述回流工藝期間吸離給定電連接與相應連接焊盤之間的界面，并且

所述介電包封料被另外配置成在所述電連接附接到所述一組連接焊盤之后固化成覆蓋所述多個電連接中的每個電連接的外表面的電隔離層；以及

在所述半導體管芯與所述載體之間形成圍繞所述多個電連接中的每個電連接的導電底部填充結構，其中所述電隔離層將每個電連接與所述導電底部填充結構電隔離。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述導電底部填充結構直接接觸并電連接到所述半導體管芯上、所述載體上、或兩者上的至少一個接地焊盤。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述介電包封料被另外配置成沿多個接頭的外表面芯吸，上至所述半導體管芯的鈍化表面并且下至所述載體的鈍化表面。