[發明專利]微型發光二極管顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 202010438936.8 | 申請日: | 2020-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN111725123B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 張小齊;劉政;李燕;彭益;莊世強 | 申請(專利權)人: | 深圳市隆利科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 肖宇揚;付靜 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市龍華區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括:
S1、將多個微型發光二極管懸浮于液體上,通過電勢控制多個微型發光二極管的平衡距離;
S2、通過電場牽引所述多個微型發光二極管形成有序陣列;
S3、將第一襯底靠近所述微型發光二極管陣列,以使得所述微型發光二極管陣列與第一襯底結合;
S4、移除液體;
S5、通過所述第一襯底,將所述微型發光二極管陣列與目標基板結合,完成巨量轉移;
所述第一襯底包括柔韌介電層;
所述液體和所述柔韌介電層為可膨脹擴展材料。
2.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,在步驟S3,將第一襯底靠近所述微型發光二極管陣列,以使得所述微型發光二極管陣列與第一襯底結合的過程中,
所述第一襯底通過庫倫力、約翰森-拉別克效應或其組合抓取所述微型發光二極管。
3.根據權利要求2所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,
設置于所述柔韌介電層上的抓取組件;
所述抓取組件具有電極。
4.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,在步驟S5中,通過膨脹擴展所述柔韌介電層將所述微型發光二極管的電極與目標基板的電極校準匹配。
5.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,通過激光切割法、光化學反應法或光物理反應法以在所述第一襯底上形成多個痕跡,用以分區所述微型發光二極管陣列。
6.根據權利要求3所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,所述抓取組件的電極透過一熱壓合法分別接合于該目標基板的多個接合電極對。
7.根據權利要求3所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,擴張該柔韌介電層,以使在該柔韌介電層上的該微型發光二極管隨著該柔韌介電層擴張而彼此分離。
8.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,在步驟S1中,所述微型發光二極管固定在一第一固體模板上;
所述微型發光二極管顯示裝置制造方法還包括對第一固體模板的移除。
9.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示裝置的制造方法,其特征在于,在步驟S4中,所述移除液體的方法包括熱蒸發,UV光蒸發或者化學清洗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





