[發(fā)明專(zhuān)利]一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010438829.5
• 申請(qǐng)日: 2020-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111640735A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭新華;傅金源;金宇航;金智猛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江芯豐科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L25/07
• 分類(lèi)號(hào): H01L25/07;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/49
• 代理公司: 臺(tái)州科訊專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 33369
• 代理人: 羅莎

1.一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括由若干個(gè)芯片單元一(11)組成的上橋臂(1)和由若干個(gè)芯片單元二(21)組成的下橋臂(2)，所述芯片單元一(11)和芯片單元二(21)的下表面均具有集電極、上表面均具有柵極和發(fā)射極，本封裝結(jié)構(gòu)還包括具有銅箔層(4)的基板(3)，其特征在于，所述銅箔層(4)包括相互獨(dú)立的上橋芯片焊接區(qū)(41)、下橋芯片焊接區(qū)(42)和電氣端子焊接區(qū)(43)，若干個(gè)芯片單元一(11)在上橋芯片焊接區(qū)(41)中沿縱向間隔設(shè)置并且芯片單元一(11)的集電極與上橋芯片焊接區(qū)(41)連接，若干個(gè)芯片單元二(21)在下橋芯片焊接區(qū)(42)中沿縱向間隔設(shè)置并且芯片單元二(21)的集電極與下橋芯片焊接區(qū)(42)連接，每個(gè)芯片單元一(11)的發(fā)射極均與電氣端子焊接區(qū)(43)電連接，每個(gè)芯片單元二(21)的發(fā)射極均與上橋芯片焊接區(qū)(41)電連接；所述銅箔層(4)還包括位于上橋芯片焊接區(qū)(41)外側(cè)的信號(hào)端子焊接區(qū)一(44)和信號(hào)端子焊接區(qū)二(45)以及位于下橋芯片焊接區(qū)(42)外側(cè)的信號(hào)端子焊接區(qū)三(46)和信號(hào)端子焊接區(qū)四(47)，每個(gè)芯片單元一(11)的柵極均通過(guò)連接線(xiàn)一(5)與信號(hào)端子焊接區(qū)一(44)電連接、發(fā)射極均通過(guò)連接線(xiàn)二(6)與信號(hào)端子焊接區(qū)二(45)電連接，每個(gè)芯片單元二(21)的柵極均通過(guò)連接線(xiàn)三(7)與信號(hào)端子焊接區(qū)三(46)電連接、發(fā)射極均通過(guò)連接線(xiàn)四(8)與信號(hào)端子焊接區(qū)四(47)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上橋芯片焊接區(qū)(41)和下橋芯片焊接區(qū)(42)位于基板(3)上相對(duì)的兩側(cè)，所述銅箔層(4)還包括中間焊接區(qū)(48)，所述中間焊接區(qū)(48)位于上橋芯片焊接區(qū)(41)和下橋芯片焊接區(qū)(42)之間，并且中間焊接區(qū)(48)與上橋芯片焊接區(qū)(41)相連接，所述電氣端子焊接區(qū)(43)位于上橋芯片焊接區(qū)(41)和中間焊接區(qū)(48)之間，每個(gè)芯片單元一(11)的發(fā)射極均通過(guò)鍵合線(xiàn)(9)與電氣端子焊接區(qū)(43)連接，每個(gè)芯片單元二(21)的發(fā)射極均通過(guò)鍵合線(xiàn)(9)與中間焊接區(qū)(48)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上橋芯片焊接區(qū)(41)位于基板(3)上的左側(cè)、下橋芯片焊接區(qū)(42)位于基板(3)上的右側(cè)，所述信號(hào)端子焊接區(qū)一(44)和信號(hào)端子焊接區(qū)二(45)均位于上橋芯片焊接區(qū)(41)的左側(cè)，所述信號(hào)端子焊接區(qū)三(46)和信號(hào)端子焊接區(qū)四(47)均位于下橋芯片焊接區(qū)(42)的右側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上橋芯片焊接區(qū)(41)的前端連接有電氣端子一(49)，所述電氣端子焊接區(qū)(43)的前端與上橋芯片焊接區(qū)(41)連接，所述電氣端子焊接區(qū)(43)的后端連接有電氣端子二(401)，所述下橋芯片焊接區(qū)(42)的后端連接有電氣端子三(402)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上橋芯片焊接區(qū)(41)的前端和下橋芯片焊接區(qū)(42)的后端均連接有檢測(cè)端子(403)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的一種功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片單元一(11)和芯片單元二(21)為IGBT或MOSFET或IGBT和FRD組成的單元或IGBT和二極管組成的單元或MOSFET和FRD組成的單元或MOSFET和二極管組成的單元。