[發(fā)明專利]襯底托在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010438628.5 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111471976A | 公開(公告)日: | 2020-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金鵬;王占國 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 劉歌 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 | ||
1.一種襯底托,用于支撐襯底,在襯底上進(jìn)行材料生長,其中,所述襯底托包括:
基座,為環(huán)狀結(jié)構(gòu);
支撐裝置,所述支撐裝置第一端與所述基座一體相連;所述支撐裝置第二端為弧面結(jié)構(gòu),且與所述襯底下表面相切,以減小支撐裝置與襯底的接觸面,降低支撐裝置與襯底之間的熱傳導(dǎo)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托,其中,所述支撐裝置為環(huán)狀結(jié)構(gòu);所述支撐裝置的截面為圓形和/或半圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托,其中,所述支撐裝置包括:
多個支撐塊,在所述基座上繞中心軸線均勻分布;所述支撐塊為球狀和/或半球狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的襯底托,其中,還包括:
多個限位塊,設(shè)置于所述基座的內(nèi)壁面上,所述限位塊繞所述襯底側(cè)壁均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底托,其中,所述限位塊與所述襯底側(cè)壁相接觸的端部為弧面結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底托,其中,所述支撐塊的數(shù)量為3-10個。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底托,其中,所述限位塊的數(shù)量為3-10個。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的襯底托,其中,所述基座包括:
第一孔,所述第一孔的直徑大于所述襯底的直徑;
第二孔,所述第二孔的直徑小于所述襯底的直徑;所述第二孔與所述第一孔的交匯處形成一臺階平面,所述支撐裝置第一端與所述臺階平面一體相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的襯底托,其中,所述基座和所述支撐裝置的材料為鉬、鉭、鈦中一種或多種。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





