[發(fā)明專利]一種低電壓小電流偏置電流電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010438540.3
• 申請日: 2020-05-22
• 公開（公告）號: CN111552343B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設計）人: 杜斐;張智才;蔣宇俊
• 申請（專利權）人: 聚洵半導體科技（上海）有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 上海錫域專利代理事務所(普通合伙) 31371
• 代理人: 馬偉

1.一種低電壓小電流偏置電流電路，包括電流源電路、有源電阻MR和有源電阻控制電路，其特征在于，有源電阻控制電路產(chǎn)生控制信號Vmr，調(diào)節(jié)有源電阻MR的阻值大小和溫度特性參數(shù)，實現(xiàn)對偏置電流的電流大小和溫度特性的控制；

所述電流源電路包括MOS管Mp1、MOS管Mp2、MOS管Mp3、MOS管Mb1、MOS管Mb2、MOS管Mb3和電容Cc；

所述有源電阻MR為MOS管MR，所述有源電阻控制電路包括MOS管Ma1、MOS管Ma2、MOS管Mrr、MOS管Mp4、MOS管Mp6和MOS管Mp5；

所述MOS管Mp1的源極連接MOS管Mp2的源極、電源VDD和MOS管Mp3的源極，MOS管Mp1的柵極連接MOS管Mp2的柵極、MOS管Mb3的漏極和MOS管Mp3的柵極，MOS管Mp1的漏極連接MOS管Mb1的漏極、MOS管Mb1的柵極、MOS管Mtail的柵極和MOS管Mb2的柵極，MOS管Mp2的漏極連接MOS管Mb2的漏極、MOS管Mb3的柵極和電容Cc，MOS管Mb1的源極連接MOS管MR的漏極，MOS管MR的柵極連接MOS管Ma1的漏極和MOS管Mp5的漏極，MOS管Mp5的源極連接MOS管Mp6的源極、MOS管Mp4的源極和電源VDD，MOS管Mp5的柵極連接MOS管Mp6的柵極、MOS管Mp6的漏極和MOS管Ma2的漏極，MOS管Ma1的源極連接MOS管Ma2的源極和MOS管Mtail的漏極，MOS管Ma2的柵極連接MOS管Mrr的漏極、MOS管Mrr的柵極和MOS管Mp4的漏極；

MOS管Mp3的漏極連接MOS管Mp3的柵極；MOS管MR的源極、MOS管Mb2的源極、MOS管Mb3的源極、電容Cc的另一端連接電源VDD；MOS管Mp4的柵極連接MOS管Mp3的柵極；MOS管Mrr的源極、MOS管Mtail的源極接地；MOS管Ma1的柵極連接MOS管MR的柵極；MOS管Ma2的漏極連接MOS管Mp6的柵極；

所述MOS管Mtail、MOS管Ma1、MOS管Ma2、MOS管Mp5和MOS管Mp6組成壓差生成電路。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種低電壓小電流偏置電流電路，其特征在于，所述MOS管Mrr和MOS管MR尺寸相同或成比例。