[發明專利]一種半導體器件的封裝方法

有效

• 申請號: 202010437592.9
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111584374B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 徐彩芬;湯亞勇;蘇華
• 申請（專利權）人: 深圳市鴻潤芯電子有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/552;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳知幫辦專利代理有限公司 44682
• 代理人: 李賾

1.一種半導體器件的封裝方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供一載體，在所述載體上設置第一半導體器件、第二半導體器件以及第三半導體器件；

2)在所述載體上沉積第一介質薄層，所述第一介質薄層共形的覆蓋所述載體、所述第一半導體器件、所述第二半導體器件以及所述第三半導體器件；

3)接著在所述載體上旋涂含有樹脂材料的第一溶液，其中，所述含有樹脂材料的第一溶液中樹脂材料的濃度為30-60mg/ml，接著進行烘干處理以形成第一樹脂層，所述第一樹脂層共形的覆蓋所述載體、所述第一半導體器件、所述第二半導體器件以及所述第三半導體器件；

4)接著在所述載體上設置第一掩膜，所述第一掩膜僅暴露所述第一半導體器件的上表面和側表面以及所述第二半導體器件的上表面和側表面，接著沉積金屬材料以形成第一金屬屏蔽屏蔽層，所述第一金屬屏蔽屏蔽層覆蓋所述第一半導體器件的上表面和側表面以及所述第二半導體器件的上表面和側表面，接著去除第一掩膜；

5)接著在所述載體上設置第二掩膜，所述第二掩膜僅暴露所述第一半導體器件的上表面和側表面，接著旋涂第一含有金屬納米線的懸浮液，接著進行烘干處理，以形成第一金屬納米線屏蔽層，所述第一金屬納米線屏蔽層僅覆蓋所述第一半導體器件的上表面和側表面，接著移除所述第二掩膜；

6)接著在所述載體上旋涂含有樹脂材料的第二溶液，其中，所述含有樹脂材料的第二溶液中樹脂材料的濃度為50-100mg/ml，接著進行烘干處理以形成第二樹脂層，所述第二樹脂層共形的覆蓋所述載體、所述第一半導體器件、所述第二半導體器件以及所述第三半導體器件；

7)接著在所述載體上設置第三掩膜，所述第三掩膜僅暴露所述第三半導體器件的所在的區域，接著旋涂第二含有金屬納米線的懸浮液，接著進行烘干處理，以形成第二金屬納米線屏蔽層，所述第二金屬納米線屏蔽層僅覆蓋所述第三半導體器件的上表面和側表面，接著移除所述第三掩膜；

8)接著在所述載體上形成樹脂封裝層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟2)中，通過PECVD法、ALD法、熱氧化法或PVD法形成所述第一介質薄層，所述第一介質薄層的材質是氧化硅、氧化鋯、氧化鉿、氮化硅、氮氧化硅、氧化鉭、氧化鋁中的一種，所述第一介質薄層的厚度為20-50納米。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟3)和6)中，所述第一溶液和所述第二溶液中的樹脂材料均包括環氧樹脂、丙烯酸樹脂、硅膠、BCB、聚乙烯醇、聚苯乙烯、PMMA、PET、PC中的一種。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟4)中，所述金屬材料包括金、銅、鋁、鎳、鈷、鐵、銀、鈀、鈦中的一種或多種，所述第一金屬屏蔽屏蔽層的沉積方法為熱蒸發、磁控濺射、電子束蒸發、電鍍以及化學鍍中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟5)中，所述第一含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線為金納米線、銀納米線、銅納米線、鎳納米線、銅鈷納米線、銅鈷鎳納米線中的一種，所述第一含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線的濃度為10-30mg/ml。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟7)中，所述第二含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線為金納米線、銀納米線、銅納米線、鎳納米線、銅鈷納米線、銅鈷鎳納米線中的一種，所述第二含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線的濃度為5-20mg/ml，且所述第二含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線的濃度小于所述第一含有金屬納米線的懸浮液中的金屬納米線的濃度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的封裝方法，其特征在于：在所述步驟8)中，所述樹脂封裝層的材料包括環氧樹脂，通過模塑工藝形成所述樹脂封裝層。