[發明專利]柔性基板的制備方法及柔性基板有效
| 申請號: | 202010437375.X | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111613580B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發明(設計)人: | 張莉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67;H01L27/12;H10K59/38;G02F1/1335 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 制備 方法 | ||
1.一種柔性基板的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1、在彩色濾光片玻璃基板和薄膜晶體管玻璃基板上分別涂布剝離層溶液,分別在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上形成第一剝離層和第二剝離層;
步驟S2、在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上分別涂布柔性層溶液,在所述彩色濾光片玻璃基板上形成第一柔性層以及第一固定層,在所述薄膜晶體管玻璃基板上形成第二柔性層以及第二固定層;所述彩色濾光片玻璃基板的邊緣到所述第一固定層的距離與所述薄膜晶體管玻璃基板的邊緣到所述第二剝離層的距離相等;
步驟S3、對所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板分別進行化學氣相沉積以及物理氣相沉積;
步驟S4、將所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板進行對組成盒;
步驟S5、使用刀輪切除所述彩色濾光片玻璃基板的邊緣部分,露出所述第二固定層,使用刀片切割所述第二固定層,用于制造一個分離起點,使用機械剝離設備取下所述薄膜晶體管玻璃基板;
步驟S6、使用機械剝離設備取下所述彩色濾光片玻璃基板。
2.根據權利要求1所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,在所述步驟S1中,在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上形成第一剝離層和第二剝離層,具體為:
對所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板進行清洗和預處理后,將所述剝離層溶液涂布在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上,在20℃到160℃的溫度下干燥1小時到4小時,來去除多數溶劑;然后在真空環境以及200℃到350℃的溫度下進一步的去除殘存的溶劑;然后自然降溫至室溫,得到在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上形成的所述第一剝離層和所述第二剝離層。
3.根據權利要求1所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,在所述步驟S1中,所述第一剝離層和所述第二剝離層的厚度為0.5微米到3微米,所述第一剝離層和所述第二剝離層的材料為聚酰亞胺或硅基類聚合物材料。
4.根據權利要求1所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2中,具體為:
對經所述步驟S1處理后的所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板進行清洗和預處理后,將柔性層溶液分別涂布在所述彩色濾光片玻璃基板和所述薄膜晶體管玻璃基板上,在80℃到140℃的溫度下干燥4小時到12小時,來去除多數溶劑;然后在真空環境以及200℃到350℃的溫度下進行化學反應或進一步的去除殘存的溶劑;然后自然降溫至室溫,得到在所述彩色濾光片玻璃基板形成第一柔性層以及第一固定層,在所述薄膜晶體管玻璃基板上形成第二柔性層以及第二固定層。
5.根據權利要求4所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,所述第一固定層和所述第二固定層的材料與所述第一柔性層和/或所述第二柔性層的材料相同;
其中,所述第一固定層位于所述第一剝離層的周圍,所述第二固定層位于所述第二剝離層的周圍。
6.根據權利要求4所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述第一柔性層和所述第二柔性層的厚度為5微米到20微米,所述第一柔性層和所述第二柔性層的材料為聚酰亞胺或PET材料或聚碳酸酯材料或聚萘二甲酸乙二醇酯材料或三醋酸纖維薄膜材料或COP材料。
7.根據權利要求1所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,所述第一剝離層與所述彩色濾光片玻璃基板的附著力大于所述第一剝離層與所述第一柔性層的附著力。
8.根據權利要求1所述的柔性基板的制備方法,其特征在于,所述第二剝離層與所述薄膜晶體管玻璃基板的附著力大于所述第二剝離層與所述第二柔性層的附著力。
9.一種柔性基板,其特征在于,所述柔性基板由權利要求1-8任一項所述的柔性基板的制備方法所制備;
所述柔性基板包括:層疊設置的第一柔性層、功能層以及第二柔性層,所述功能層包括薄膜晶體管以及液晶層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





