[發(fā)明專利]冰箱的控制設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010436899.7 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111536756B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 文成全;羅倫 | 申請(專利權(quán))人: | 四川虹美智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/567 | 分類號: | H03K17/567 |
| 代理公司: | 濟南信達專利事務所有限公司 37100 | 代理人: | 李世喆 |
| 地址: | 621050 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 冰箱 控制 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供了冰箱的控制設(shè)備,包括:第一供電模塊,用于根據(jù)冰箱的電源輸出的初始電壓,生成第一目標電壓,利用第一目標電壓為執(zhí)行模塊的MOS管的柵極提供電壓;控制模塊,用于向執(zhí)行模塊發(fā)送控制信號,其中,控制信號包括:打開信號、關(guān)閉信號;執(zhí)行模塊在接收到控制模塊發(fā)來的打開信號時,在第一目標電壓的作用下,MOS管完全導通,觸發(fā)待控制設(shè)備運行;執(zhí)行模塊在接收到控制模塊發(fā)來的關(guān)閉信號時,在第一目標電壓的作用下,MOS管關(guān)斷,觸發(fā)待控制設(shè)備不運行。本發(fā)明提供了冰箱的控制設(shè)備,能夠降低MOS管的功耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及家電技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及冰箱的控制設(shè)備。
背景技術(shù)
冰箱是一種常用的家用電器,如何控制冰箱中的大功率負載的運行,是一個非常重要的課題。
在現(xiàn)有技術(shù)中,可以通過MOS管來控制冰箱中的大功率負載,但是,現(xiàn)有技術(shù)中MOS管發(fā)熱較大,功耗較大。
現(xiàn)有技術(shù)還公開了以下內(nèi)容:
申請?zhí)枮镃N201821342104.0的申請文件公開了一種直流升降壓電路,其主要是采用4個MOS管、電流負反饋電路、電壓負反饋電路和微控器(MCU)實現(xiàn)恒流恒壓輸出,缺點是器件多,電路復雜;對于MCU在寬電壓范圍時,需考慮對MCU工作供電的穩(wěn)定范圍,實現(xiàn)難度大。
申請?zhí)枮镃N201821810861.6的申請文件公開了一種非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊,采用非隔離升降壓電源電路及非隔離升降壓電源模塊。將兩片PI3749升降壓穩(wěn)壓器并聯(lián)連接,通過SYNCI、SYNCO兩個引腳實現(xiàn)MOSFET同步開關(guān),通過EN引腳實現(xiàn)同步啟動,通過EAIN引腳共用反饋電阻實現(xiàn)同步輸出電壓。其缺點是器件價格高,輸入電壓范圍窄(16-34V),輸出電壓范圍窄(12-34V)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了冰箱的控制設(shè)備,能夠降低MOS管的功耗。
本發(fā)明實施例提供了冰箱的控制設(shè)備,該控制設(shè)備包括:第一供電模塊、控制模塊和執(zhí)行模塊;
所述執(zhí)行模塊中包括:MOS管;
所述第一供電模塊與所述執(zhí)行模塊相連;
所述控制模塊與所述執(zhí)行模塊相連;
所述執(zhí)行模塊中的所述MOS管與待控制設(shè)備相連接;
所述第一供電模塊,用于根據(jù)所述冰箱的電源輸出的初始電壓,生成第一目標電壓,利用所述第一目標電壓為所述MOS管的柵極提供電壓;
所述控制模塊,用于向所述執(zhí)行模塊發(fā)送控制信號,其中,所述控制信號包括:打開信號、關(guān)閉信號;
所述執(zhí)行模塊在接收到所述控制模塊發(fā)來的所述打開信號時,在所述第一目標電壓的作用下,所述MOS管完全導通,觸發(fā)所述待控制設(shè)備運行;
所述執(zhí)行模塊在接收到所述控制模塊發(fā)來的所述關(guān)閉信號時,在所述第一目標電壓的作用下,所述MOS管關(guān)斷,觸發(fā)所述待控制設(shè)備不運行。
可選地,
所述執(zhí)行模塊,包括:
第一電阻,所述第一電阻的第一端接所述第一供電模塊輸出的所述第一目標電壓;
PNP管,所述PNP管的發(fā)射極與所述第一電阻的第二端相連,所述PNP管的集電極接地;
第二電阻,所述第二電阻的第一端與所述控制模塊的輸出所述控制信號的輸出端口相連,所述第二電阻的第二端與所述PNP管的基極相連;
第三電阻,所述第三電阻的第一端與所述PNP管的基極相連,所述第三電阻的第二端與所述PNP管的集電極相連;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于四川虹美智能科技有限公司,未經(jīng)四川虹美智能科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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