[發明專利]一種層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 202010436055.2
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111592674B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 羅丙紅;劉坤;文偉;周長忍
• 申請（專利權）人: 暨南大學
• 主分類號: C08J7/00
• 分類號: C08J7/00;A61L27/40;A61L27/34;A61L27/18;A61L27/48;A61L27/54;C08L67/04
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 楊燕瑞

1.一種層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料，其特征在于：由基材、粘結層和修飾層構成，所述基材為聚乳酸，所述粘結層為聚多巴胺，所述修飾層由帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須層層交替自組裝構成；

所述聚乳酸復合材料由以下方法制備得到：

步驟一：制備聚乳酸膜，并在聚乳酸膜表面引入聚多巴胺層，制備聚多巴胺/聚乳酸復合膜；

步驟二：分別制備帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須，并分別配制成水懸浮液；

步驟三：將聚多巴胺/聚乳酸復合膜依次浸泡于步驟二制備的帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須的水懸浮液中，重復該浸泡過程，實現層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備；

所述水懸浮液調節pH為3~6。

2.根據權利要求 1所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料，其特征在于：所述的修飾層的厚度為 5-500nm。

3.根據權利要求 1所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料，其特征在于：所述聚乳酸復合材料表面的 Zeta 電位值為-16.14eV-+16.98eV。

4.根據權利要求 1-3任一項所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一：制備聚乳酸膜，并在聚乳酸膜表面引入聚多巴胺層，制備聚多巴胺/聚乳酸復合膜；

步驟二：分別制備帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須，并分別配制成水懸浮液；

步驟三：將聚多巴胺/聚乳酸復合膜依次浸泡于步驟二制備的帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須的水懸浮液中，重復該浸泡過程，實現層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備。

5.根據權利要求 4所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于所述聚多巴胺/聚乳酸復合膜由包括以下具體步驟方法制備得到：將聚乳酸膜浸泡于濃度為0.2-5.0g/L的鹽酸多巴胺溶液中，反應 0.5-24h，得到聚多巴胺/聚乳酸復合膜。

6.根據權利要求 4所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于所述帶正電的甲殼素晶須由包括以下具體步驟的方法制備得到：將甲殼素粉末加入到 0.5-5mol/L 的 HCl 水溶液中，惰性氣氛下加熱至 60-110℃攪拌反應 0.5-6h，分離，透析，得到帶正電的甲殼素晶須。

7.根據權利要求 4 所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于：所述帶負電的甲殼素晶須采用包括甲殼素和馬來酸酐反應制備，由包括以下具體步驟的方法制備得到：將甲殼素和馬來酸酐在惰性氣氛下于 55-110℃下反應 0.5-8h，分離得到帶負電的甲殼素晶須。

8. 根據權利要求 4所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于：所述水懸浮液通過分別將帶正電的甲殼素晶須和帶負電的甲殼素晶須加入水中均化獲得。

9.根據權利要求 4所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料的制備方法，其特征在于步驟三包括以下具體步驟：將步驟一制備的聚多巴胺/聚乳酸復合膜先浸泡到步驟二制備的帶正電的甲殼素晶須的水懸浮液中，0.5-10h后取出，干燥后，再浸泡于帶負電的甲殼素晶須的水懸浮液中，0.5-10h后取出；多次重復上述操作，得到層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料。

10.權利要求 1-3 任一項所述的層層自組裝甲殼素晶須修飾的聚乳酸復合材料在制備骨組織修復材料中的應用。