[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010435900.4
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN113410366A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉漢誠;林溥如;柯正達(dá);曾子章
• 申請（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司;黃石欣益興電子科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/00;H01L25/075;H01L33/62
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;劉芳

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

將已通過電性測試的多個發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移至載板上；

形成封裝膠體以覆蓋所述多個發(fā)光二極管；

移除所述載板；

形成重配置線路層以電性連接所述多個發(fā)光二極管，所述重配置線路層包括至少一線路層與至少一光敏介電層，所述多個發(fā)光二極管與所述至少一線路層電性連接；以及

進(jìn)行單體化程序，以切割所述封裝膠體與所述重配置線路層，而形成多個表面黏著型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述多個表面黏著型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的每一個中的所述多個發(fā)光二極管的數(shù)量至少為12個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述多個發(fā)光二極管的每一個具有彼此相對的主動面以及背面，且所述多個發(fā)光二極管的每一個包括多個接墊，而所述多個接墊位于所述主動面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述載板上配置有黏著層，所述多個接墊直接接觸所述黏著層，而將所述多個發(fā)光二極管定位于所述載板上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，于移除所述載板之前，形成所述封裝膠體，而于移除所述載板之后，形成所述重配置線路層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述封裝膠體具有彼此相對的頂面與底面，所述底面直接接觸所述黏著層，且所述封裝膠體形成在所述載板上且覆蓋所述多個發(fā)光二極管的每一個的所述主動面、所述背面以及所述多個接墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括：

形成所述封裝膠體之后，提供另一載板于所述封裝膠體的所述頂面上，所述另一載板上配置有另一黏著層，而所述另一黏著層位于所述另一載板與所述封裝膠體之間；以及

移除所述載板而暴露出所述封裝膠體的所述底面以及所述多個發(fā)光二極管的每一個的所述多個接墊的每一個的下表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括：

進(jìn)行所述單體化程序之前，形成防焊層于所述重配置線路層上，其中所述重配置線路層還包括多個焊墊，而所述防焊層暴露出部分所述多個焊墊；

形成多個焊球于所述防焊層所暴露出的所述多個焊墊上；以及

移除所述另一載板及所述另一黏著層，而暴露出所述封裝膠體的所述頂面。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述載板上配置有黏著層，所述多個發(fā)光二極管的每一個的所述背面直接接觸所述黏著層而定位于所述載板上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，于移除所述載板之前，形成所述重配置線路層，而于移除所述載板之后，形成所述封裝膠體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括：

于形成所述重配置線路層之后，形成防焊層于所述重配置線路層，其中所述重配置線路層還包括多個焊墊，而所述防焊層暴露出部分所述多個焊墊；

提供另一載板于所述防焊層上，所述另一載板上有另一黏著層，所述另一黏著層位于所述另一載板與所述防焊層之間；以及

移除所述載板而暴露出所述多個發(fā)光二極管的每一個的所述背面。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述封裝膠體形成在所述重配置線路層上且覆蓋所述多個發(fā)光二極管的每一個的所述背面，所述封裝膠體具有彼此相對的頂面與底面，而所述底面直接接觸所述重配置線路層。