[發(fā)明專利]發(fā)光顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010435565.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111987124A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金庸喆;具沅會(huì);沈東敏;韓炅勛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 陳煒;王偉楠 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光顯示裝置,包括:
基板,其包括多個(gè)子像素,所述多個(gè)子像素中的每個(gè)子像素包括發(fā)光區(qū)域和被所述發(fā)光區(qū)域圍繞的反射區(qū)域;
在所述基板上的外涂層;
在所述外涂層上在所述反射區(qū)域處的分隔部;
在所述外涂層上在所述發(fā)光區(qū)域處的發(fā)光元件;以及
在所述分隔部上的反射部,所述反射部由與所述發(fā)光元件相同的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述發(fā)光元件包括:
包括反射層的第一電極;
在所述第一電極上的發(fā)光層;以及
在所述發(fā)光層上的第二電極,并且
其中,所述反射部包括:
第一層,其由與所述第一電極相同的材料形成;
第二層,其由與所述發(fā)光層相同的材料形成,并且在所述第一層上;以及
第三層,其由與所述第二電極相同的材料形成,并且在所述第二層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述發(fā)光元件的至少一部分與所述反射部的至少一部分絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述第二電極與所述第三層間隔開(kāi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述發(fā)光層與所述第二層間隔開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示裝置,還包括在所述第一電極上的堤部,所述堤部包括使所述第一電極的一部分露出的開(kāi)口部分,
其中,所述分隔部和所述反射部被設(shè)置在所述開(kāi)口部分處并且與所述堤部間隔開(kāi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述外涂層包括:
在所述基板與所述發(fā)光元件之間的基底部分;以及
在所述基底部分與所述發(fā)光元件之間的突出部分,
其中,所述第一電極從所述基底部分朝所述突出部分的上表面延伸,并且
所述堤部覆蓋所述突出部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述分隔部的高度小于或等于所述突出部分的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,多個(gè)所述反射區(qū)域設(shè)置在所述多個(gè)子像素中的至少一個(gè)子像素處,并且
所述發(fā)光區(qū)域一體地設(shè)置在所述多個(gè)子像素中的所有子像素中。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置,其中,所述分隔部與所述外涂層一體地設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





