[發明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202010435328.1 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111341826B | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | 許晨;喬勇;吳新銀;馬永達 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒;王小會 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,包括:
顯示區,具有多個像素單元;
周邊區,位于所述顯示區的至少一側;
阻隔層,位于襯底基板上;
導電構件,設置在所述阻隔層的背離所述襯底基板的一側,所述導電構件在其延伸方向上的長度大于所述導電構件在與延伸方向相交的方向上的寬度,且所述導電構件包括依次層疊的第一導電子層、第二導電子層和第三導電子層,所述第一導電子層比所述第三導電子層更靠近所述襯底基板;以及
第一導電部,位于所述顯示區,所述第一導電部與所述導電構件同層設置且材料相同,
其中,所述第一導電子層的電導率小于所述第二導電子層的電導率且所述第一導電子層的厚度小于所述第二導電子層的厚度,所述第三導電子層的熔點大于所述第二導電子層的熔點,
所述第二導電子層包括靠近所述第一導電子層的第一表面和靠近所述第三導電子層的第二表面,所述第一表面和所述第二表面相對設置,所述第三導電子層沿所述導電構件的寬度方向凸出于所述第二表面,所述寬度方向與所述導電構件的延伸方向相交;
其中,所述第一表面的寬度小于所述第一導電子層的寬度,所述第二表面的寬度小于所述第三導電子層的寬度,所述第三導電子層和所述第二表面的寬度差大于所述第三導電子層的厚度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述第三導電子層不與所述第一導電子層接觸。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述第二導電子層還包括連接所述第一表面和所述第二表面的位于所述第二導電子層的同一側的側邊的側面,在垂直于所述導電構件的延伸方向截取的截面中,所述側面與所述第一導電子層的交點為第一交點,所述側面與所述第三導電子層的交點為第二交點,所述側面的至少一部分位于所述第一交點和所述第二交點的連線的靠近所述第二導電子層的一側。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其中,所述側面包括至少兩個子側面,所述至少兩個子側面包括靠近所述第一導電子層的第一子側面和靠近所述第三導電子層的第二子側面,所述第一子側面與所述第一導電子層所成的角度小于所述第二子側面與所述第一導電子層所成的角度。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其中,在垂直于所述導電構件的延伸方向截取的所述截面中,所述第二子側面的延長線與所述第一導電子層的交點與所述第一子側面與所述第一導電子層的交點之間的距離為d1,所述第一導電子層超出所述第一表面的距離為Δw1,d1Δw1。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其中,所述第三導電子層超出所述第二表面的距離為Δw2,d1Δw2。
7.根據權利要求4所述的顯示面板,其中,所述第二子側面與所述第一導電子層所成的角度大于90度。
8.根據權利要求3所述的顯示面板,其中,所述側面包括依次設置的三個子側面,所述三個子側面包括第一子側面、第二子側面和第三子側面,所述第一子側面比所述第三子側面更靠近所述第一導電子層,所述第一子側面與所述第一導電子層所成的角度為第一角度,所述第二子側面與所述第一導電子層所成的角度為第二角度,所述第三子側面與所述第一導電子層所成的角度為第三角度,所述第三角度大于所述第二角度,所述第二角度大于所述第一角度。
9.根據權利要求3所述的顯示面板,其中,所述第二導電子層包括兩個側面,所述兩個側面相對設置,所述兩個側面沿所述導電構件的厚度方向呈對稱設置。
10.根據權利要求3所述的顯示面板,其中,所述第二導電子層的所述第一表面、所述第二表面和所述側面至少之一包含N元素、S元素、P元素和Cl元素至少之一。
11.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述阻隔層具有F元素和Cl元素至少之一。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





