[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010434995.8
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN112310081A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范政祥
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 韓旭;黃艷

1.一種半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，包括：

一基底；

一漏極應(yīng)力源，具有一應(yīng)變部，設(shè)置在該基底中；

一源極應(yīng)力源，具有一應(yīng)變部，設(shè)置在該基底中；以及

一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該基底中，并位在該漏極應(yīng)力源與該源極應(yīng)力源。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，其中該基底包含硅鍺，而該漏極應(yīng)力源與該源極應(yīng)力源包含硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，還包括一位元線，連接該漏極應(yīng)力源。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，還包括一位元線接觸點，設(shè)置在該漏極應(yīng)力源與該位元線之間。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，還包括一存儲電容，連接該源極應(yīng)力源。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，還包括一存儲節(jié)點接觸點，設(shè)置在該存儲電容與該源極應(yīng)力源之間。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，其中該漏極應(yīng)力源包括一第一漏極層、一第二漏極層以及一第三漏極層，而該源極應(yīng)力源包括一第一源極層、一第二源極層以及一第三源極層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，其中該柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極電極、一柵極介電層以及一柵極密封物。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)，還包括一淺溝隔離。

10.一種半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：

提供一基底；

在該基底中形成一柵極溝槽；

在該柵極溝槽中形成一柵極結(jié)構(gòu)；

在該基底中形成一漏極凹處以及一源極凹處，其中該柵極溝槽位在該漏極凹處與該源極凹處之間；以及

在該漏極凹處與該源極凹處分別形成一漏極應(yīng)力源與一源極應(yīng)力源。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，其中形成該柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在該柵極溝槽中形成一柵極介電層；

在該柵極溝槽中與該柵極介電層上形成一柵極電極；以及

在該柵極電極上形成一柵極密封物。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，其中在該基底中形成該柵極溝槽的步驟包括能選擇的蝕刻。

13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，其中形成該漏極應(yīng)力源與該源極應(yīng)力源的步驟包括：

形成一第一含硅層；

形成一第二含硅層；以及

形成一第三含硅層。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，其中該基底包含硅鍺。

15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，其中形成該漏極凹處與該源極凹處的步驟包括能選擇的蝕刻。

16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，還包括一步驟，該步驟為在該漏極應(yīng)力源上形成一位元線接觸點。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，還包括一步驟，該步驟為形成一位元線，該位元線經(jīng)由該位元線接觸點連接該漏極應(yīng)力源。

18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，還包括一步驟，該步驟為在該源極應(yīng)力源上形成一存儲節(jié)點接觸點。

19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，還包括一步驟，該步驟為形成一存儲電容，該存儲電容經(jīng)由該存儲節(jié)點接觸點連接該源極應(yīng)力源。

20.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器結(jié)構(gòu)的制備方法，還包括一步驟，該步驟為在該基底中形成一淺溝隔離。