[發明專利]一種陣列基板及其制造方法

在審

• 申請號: 202010434763.2
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111613576A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 黃霜霜;陽志林;馬國永;喻玥;李連峰;趙輝
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在基板上沉積第一層金屬層，對第一金屬層進行刻蝕在像素區域形成柵極，在外圍區域形成第一層金屬線；然后形成覆蓋第一金屬層的柵極絕緣層；

S2：依次沉積金屬氧化物半導體層和第二金屬層，首先經曝光和刻蝕，去除位于像素電極所在區域的第二金屬層，保留位于溝道區域上方的第二金屬層，并形成位于像素區域的源極和漏極未分開的臨時金屬層和位于外圍區域的橋接部；然后對未被第二金屬層覆蓋的金屬氧化物半導體層進行低阻抗化處理形成像素電極；

S3：首先采用光阻覆蓋像素電極、橋接部、數據線所在區域、源極所在區域和漏極所在區域；然后進行刻蝕形成位于源極所在區域和漏極所在區域之間的半導體溝道；最后進行剝離光阻形成源極和漏極；

S4：在步驟S3的基礎上沉積保護層，同時在外圍區域的第一層金屬線上形成第一接觸孔和橋接部上形成第二接觸孔；

S5：首先整面鋪透明電極，然后涂覆光阻和曝光刻蝕在像素區域形成獨立的公共電極，在外圍區域形成連接第一層金屬線和橋接部連接的透明金屬導體層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S1中，第一金屬層的膜厚為其膜層結構為單層金屬銅或鋁或雙層結構。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S2中，第二金屬層的膜厚為其膜層結構為雙層金屬結構。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，金屬氧化物半導體層的膜厚為

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，金屬氧化物半導體層的材料為銦鎵鋅氧化物或銦鋅氧化物或摻雜Sn元素的銦鎵鋅氧化物。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S1和S2中，位于外圍區域的橋接部和第一層金屬線在空間不重疊。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S2中，采用等離子對裸露的金屬氧化物半導體層進行低電阻化處理形成像素電極。

8.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，步驟S4中的保護層的膜厚為保護層包括由二氧化硅形成的下層保護層和由氮化硅形成的上層保護層。

9.一種陣列基板，其包括縱橫交錯的柵極線和數據線、由柵極線和數據線交叉限定的像素區域、位于像素區域內的像素電極位于柵極線和數據線交叉處的TFT開關、覆蓋柵極線的柵極絕緣層、覆蓋TFT開關的保護層以及位于保護層上的共用電極，其中TFT開關包括與柵極線連接的柵極、與數據線連接的源極、漏極、均與源極和漏極接觸且位于柵極上方的半導體層區域；其特征在于，所述像素電極與半導體層區域位于同層且由金屬氧化物半導體材料經過離子注入形成的。

10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，陣列基板還包括位于外圍區域且與柵極同時形成的第一層金屬線、與源極同時形成的橋接部、位于第二層金屬線下方的外圍半導體層區域以及與共用電極同時形成的透明金屬導體層，其中第一層金屬線和外圍半導體層區域之間隔著柵極絕緣層，通過透明金屬導體層連接第一層金屬線和橋接部。