[發明專利]一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法

有效

• 申請號: 202010434613.1
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111564367B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 聶偉;許秀真;孟強;丁培杰
• 申請（專利權）人: 合肥新匯成微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/67
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 王峰

1.一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）晶圓碎片定位：將破裂的各晶圓碎片正面朝上放置在定位盤上，定位盤中部設置有定位孔，定位孔與完整晶圓的形狀和大小相匹配設置，使得破裂的各晶圓碎片在定位孔中拼裝成一個完整的晶圓；

（2）晶圓碎片合框：將各晶圓碎片從定位孔取出，然后將各晶圓碎片背面朝上放置在晶圓合框機的載臺上，使得各晶圓碎片拼成一個完整的晶圓，晶圓合框機的載臺上放置有外框，確保拼成的晶圓與外框的中心相重合，晶圓合框機在外框、拼裝的晶圓背面貼上背面膠膜一，將外框和拼裝的晶圓合框固定為一體；

（3）晶圓規則切割：將合框固定的拼裝晶圓正面朝上放置在晶圓切割機上，晶圓切割機沿著切割線對面積最大的晶圓碎片進行切割，使得面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣被切掉，控制切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣的間距為1.9~2.1mm；面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣與晶圓碎片上IC的邊緣線相平行時，切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣平行；面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣與晶圓碎片上IC的邊緣線相傾斜時，切割線與面積最大的晶圓碎片的破裂邊緣平行或者相交；

（4）標記切割線：將合框固定的拼裝晶圓從切割機中取出，將背面膠膜一上面積小于最大晶圓碎片的其他晶圓碎片拿走，通過記號筆在背面膠膜一的正反兩面均沿著面積最大晶圓碎片的被切割線作出標記線段，然后將面積最大晶圓碎片與外框、背面膠膜一分離并將其放置在定位盤中，保留外框和背面膠膜一；標記線段的左右兩端均與背面膠膜一的邊緣相交；

（5）假片切割：將面積大小、厚度與晶圓相同的圓形硅片放置在外框的背面膠膜一上，使得外框與硅片的中心相重合，找到背面膠膜一上位于硅片兩側的標記線段，將外框上的硅片正面朝上放置在切割機中，切割機沿著標記線段對硅片進行切割，然后將切割后的硅片從切割機取出，從外框的背面膠膜一上取下可與步驟（4）中面積最大晶圓碎片拼裝成整圓的假片；

（6）假片補全：將步驟（5）中的假片放入定位盤中，與面積最大晶圓碎片拼裝成完整的假晶圓，通過正面貼膜機在假晶圓上貼上正面膠膜；

（7）假晶圓研磨：通過雙手抓住假晶圓，將假晶圓的正面膠膜朝下水平放置在研磨機的研磨臺上，研磨輪對假晶圓的背面進行研磨，完成研磨后雙手水平抓著假晶圓將其水平取出，對假晶圓進行清洗；研磨機包括三個可沿周向移動的圓形研磨臺，三個研磨臺沿周向均勻間隔分布設置， 各研磨臺的表面均為布滿多個吸附孔的陶瓷面，各吸附孔均與抽真空系統相連接，研磨臺的外徑為12寸，與第一個研磨臺相對應地設置有上料機械手，與第三個研磨臺相對應地設置有下料機械手，第一個研磨臺上方設置有粗磨輪，第二個研磨臺上方設置有精磨輪；

（8）研磨后的晶圓碎片合框：將清洗后的假晶圓的正面膠膜撕除，分離假片與面積最大晶圓碎片，將面積最大晶圓碎片背面朝上放置在晶圓合框機的載臺上，晶圓合框機的載臺上放置有外框，使得面積最大晶圓碎片與外框的中心相重合，晶圓合框機在外框、面積最大晶圓碎片背面貼上背面膠膜二，將外框和面積最大晶圓碎片合框固定為一體；

（9）切割撿晶：將合框固定的面積最大晶圓碎片放入切割機中，使得面積最大晶圓碎片正面朝上，切割機對面積最大晶圓碎片進行切割，將晶圓碎片切割成若干顆IC，通過UV照射機照射背面膠膜二，使得背面膠膜二失去粘性，撿晶機將檢驗合格的各IC挑揀至tray盤內。

2.根據權利要求1所述的一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法，其特征在于，所述外框的內側孔呈圓形，晶圓、硅片的外徑均小于外框的圓形內側孔的孔徑。

3.根據權利要求1或2所述的一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法，其特征在于，所述背面膠膜一和背面膠膜二均為具有粘性的紫外線照射膠帶，正面膠膜為具有粘性的藍膜。

4.根據權利要求1或2所述的一種晶圓研磨前裂片異常的處理方法，其特征在于，所述晶圓的尺寸為8寸或12寸。