[發(fā)明專利]半導體器件及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010434420.6 | 申請日： | 2020-05-21 |
| 公開（公告）號： | CN113707610B | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樸淳秉;平爾萱 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H10B12/00 | 分類號： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;陳麗麗 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：
形成襯底，所述襯底內具有溝槽，所述溝槽內具有覆蓋于所述溝槽內壁的柵介質層、覆蓋于部分所述柵介質層表面的阻擋層、以及填充于所述阻擋層內側的第一柵極層；
去除部分所述阻擋層，形成位于所述第一柵極層與所述柵介質層之間的凹槽；
形成至少覆蓋所述凹槽的整個內壁和所述第一柵極層的整個頂面的溝道介質層；
形成至少部分填充所述凹槽內側的第二柵極層。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成襯底的具體步驟包括：
提供襯底，所述襯底內具有溝槽；
依次形成覆蓋整個所述溝槽內壁的柵介質層、覆蓋于整個所述柵介質層表面的阻擋層、以及填充于整個所述阻擋層內側的第一柵極層；
回刻蝕所述阻擋層和所述第一柵極層，使得所述阻擋層的頂面和所述第一柵極層的頂面均位于所述溝槽的頂面之下。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，去除部分所述阻擋層具體步驟包括：
采用原位或者非原位工藝刻蝕部分所述阻擋層。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成至少覆蓋所述凹槽內壁和所述第一柵極層頂面的溝道介質層的具體步驟包括：
采用原子層沉積工藝沉積覆蓋所述凹槽內壁、所述第一柵極層頂面和所述柵介質層表面的溝道介質層。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述溝道介質層的厚度小于所述阻擋層的厚度。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述第二柵極層僅位于所述凹槽內，且所述第二柵極層的頂面位于所述第一柵極層的頂面之下；或者，
所述第二柵極層僅位于所述凹槽內，且所述第二柵極層的頂面與所述第一柵極層的頂面平齊；或者，
所述第二柵極層填充滿所述凹槽并覆蓋位于所述第一柵極層頂面的所述溝道介質層。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述溝道介質層的材料為氧化物、氮化物中的一種或者兩者的組合。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，形成至少部分填充所述凹槽內側的第二柵極層之后，還包括如下步驟：
形成填充滿所述溝槽的柵極蓋層。
9.一種半導體器件，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底內具有溝槽，所述溝槽的內壁表面覆蓋有柵介質層；
阻擋層，覆蓋于部分所述柵介質層表面，且所述阻擋層的頂面位于所述柵介質層的頂面之下；
第一柵極層，填充于所述阻擋層內側，且所述第一柵極層的頂面位于所述柵介質層頂面之下、且位于所述阻擋層的頂面之上；
凹槽，位于所述第一柵極層與所述柵介質層之間；
溝道介質層，至少覆蓋所述凹槽的整個內壁和所述第一柵極層的整個頂面；
第二柵極層，至少部分填充所述凹槽內側。
10.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述溝道介質層的厚度小于所述阻擋層的厚度。
11.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述溝道介質層的厚度為
12.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第二柵極層僅位于所述凹槽內，且所述第二柵極層的頂面位于所述第一柵極層的頂面之下；或者，
所述第二柵極層僅位于所述凹槽內，且所述第二柵極層的頂面與所述第一柵極層的頂面平齊；或者，
所述第二柵極層填充滿所述凹槽并覆蓋位于所述第一柵極層頂面的所述溝道介質層表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長鑫存儲技術有限公司，未經(jīng)長鑫存儲技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010434420.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
