[發明專利]一種LED芯片的轉移方法有效
| 申請號: | 202010434398.5 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111564393B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發明(設計)人: | 趙斌;曲曉東;楊克偉;林志偉;陳凱軒 | 申請(專利權)人: | 廈門乾照半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/68;H01L27/15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 芯片 轉移 方法 | ||
本發明提供了一種LED芯片的轉移方法,在芯片制備或晶圓級封裝過程中,通過在目標基板設定若干個鍵合單元;各所述鍵合單元以單個LED芯粒的P型電極墊和N型電極墊的位置關系作為基準,分別形成第一鍵合區和第二鍵合區,并在所述第二鍵合區周邊預留一備用區域。并通過定位所述晶圓上的LED芯粒的轉移起點和所述目標基板上的鍵合單元起始點,確定預轉移芯粒和預鍵合單元;所述預轉移芯粒的P型電極墊和N型電極墊可分別與所述預鍵合單元的第一鍵合區和第二鍵合區對位重合;在所有預轉移芯粒的P型電極墊和N型電極墊,或在所有預鍵合單元的第一鍵合區和第二鍵合區,形成金屬鍵合層;然后,通過轉移工藝對位鍵合實現所有LED芯粒的轉移。
技術領域
本發明涉及發光二極管領域,尤其涉及一種LED芯片的轉移方法。
背景技術
在LED芯片制造和晶圓級封裝的過程中,由于產品的尺寸要求,往往會涉及到批量性轉移LED芯片的需求。針對LED封裝時,在較大尺寸LED芯片轉移時,通常采用機械手(吸筆)將一顆顆芯片轉移至指定位置,采用機械手(吸筆)將一顆顆芯片轉移至指定位置的方法,由于芯片屬于微粒,會導致轉移效率比較低,且很難保證每一顆LED芯粒對位效果一致,特別是當LED芯片尺寸持續變小時,這種常規的LED芯片轉移方法已不再適用。
在LED芯片制作時,通常通過將LED芯片外延薄膜轉移至一基板上改善LED芯片的光電熱性能,當采用將LED芯片外延薄膜轉移至一基板上時,需要將LED有源區定向轉移至相應的鍵合區域,目前一般要求LED芯粒與鍵合區域等周期設計,才可以實現對位鍵合。然而,在LED芯片制造過程中,由于目標基板自身特性的要求可能造成LED芯粒的周期和預鍵合單元的周期不一致,通常選擇刻蝕掉多余的發光層將LED芯片的周期做成與預鍵合單元周期一致,但如此犧牲一部分LED發光區面積,勢必會造成生產成本的浪費。
有鑒于此,本發明人專門設計了一種LED芯片的轉移方法,本案由此產生。
發明內容
本發明的目的在于提供一種LED芯片的轉移方法,以解決現有技術中因目標基板面積與晶圓面積不兼容所引發的問題。
為了實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種LED芯片的轉移方法,所述轉移方法包括如下步驟:
S01、提供一含有若干個LED芯粒的晶圓,所述LED芯粒層疊于襯底;各所述LED芯粒呈陣列分布,且各所述LED芯粒包括外延層、層疊于所述外延層表面且呈水平布設的P型電極墊和N型電極墊;
S02、提供一目標基板,所述目標基板包括若干個鍵合單元;各所述鍵合單元以單個LED芯粒的P型電極墊和N型電極墊的位置關系作為基準,分別形成第一鍵合區和第二鍵合區,并在所述第一鍵合區和第二鍵合區的至少一者的周邊預留一備用區域;
S03、定位所述晶圓上的LED芯粒的轉移起點和所述目標基板上的鍵合單元起始點,確定預轉移芯粒和預鍵合單元;所述預轉移芯粒的P型電極墊和N型電極墊可分別與所述預鍵合單元的第一鍵合區和第二鍵合區對位重合;在所有預轉移芯粒的P型電極墊和N型電極墊,或在所有預鍵合單元的第一鍵合區和第二鍵合區,形成金屬鍵合層;
S04、將所述預轉移芯粒中的首位芯粒的P型電極墊和N型電極墊分別與所述第一鍵合單元的第一鍵合區和第二鍵合區進行對位;
S05、通過轉移工藝,將所述預轉移芯粒對位鍵合至所述目標基板所對應的預鍵合單元;
S06、對所述晶圓以一個LED芯粒為基準向后移位,對所述目標基板以一個鍵合單元為基準向后移位,并重新定位起點對所述LED芯粒和鍵合單元進行排列;
S07、重復上述步驟S03至步驟S05,使所述目標基板的所有鍵合單元均已鍵合有所述LED芯粒;
S08、提供另一目標基板,并執行步驟S02至步驟S06,完成所述晶圓上的所有LED芯粒的轉移。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





