[發(fā)明專利]一種錫基鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010433215.8 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN111785837A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曹昆;朱文靜;程陽鳳;陳淑芬;黃維 | 申請(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210012 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 錫基鈣鈦礦 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種錫基鈣鈦礦薄膜及其制備方法和應(yīng)用,該薄膜包括有機脒分子和鈣鈦礦,鈣鈦礦種類為ASnX3,其中A為CH3NH3+或NH2CH=NH2+中的一種或兩種;X至少為I?、Br?或Cl?中的一種;該薄膜的制備方法包括以下步驟:(S1)制備錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液:將鈣鈦礦、有機脒分子溶解到有機溶劑中即得到錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液;(S2)將所述錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液旋涂到襯底上并熱處理,即得到錫基鈣鈦礦薄膜;該薄膜能夠作為光吸收層應(yīng)用到太陽能電池中。該薄膜能夠有效抑制錫元素氧化,提高薄膜的結(jié)晶度和穩(wěn)定性,平整性好,有利于與空穴傳輸層接觸,減少在界面處的載流子復(fù)合,提高器件的光電轉(zhuǎn)化效率,原料廉價易得,制備方法簡單。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦薄膜及其制備方法與應(yīng)用,更具體地,涉及一種錫基鈣鈦礦薄膜及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
太陽能電池是一種利用光伏效應(yīng)將光能轉(zhuǎn)化為電能的器件,其中基于溶液法加工的有機無機雜化鈣鈦礦太陽能電池原料廉價、制備工藝簡單,認(rèn)證效率高達(dá) 25.2%,達(dá)到了與傳統(tǒng)晶硅太陽能電池相近的效率水平,但是此類鈣鈦礦太陽能電池含有有毒元素鉛,這大大地限制了它的商業(yè)化使用前景,而錫基鈣鈦礦太陽能電池是非鉛鈣鈦礦太陽能電池的一種,其毒性低,光電性能優(yōu)異,有望取代鉛鈣鈦礦太陽能電池,然而目前的錫基鈣鈦礦材料,穩(wěn)定性較差,錫元素易由+2 價氧化成+4價,造成材料的晶體結(jié)構(gòu)破壞,降低器件性能。因此,目前的錫基鈣鈦礦材料制備過程中需要嚴(yán)格控制材料制備過程的水氧條件,或者營造還原性氣體氛圍,增加了錫基鈣鈦礦太陽能電池的制備難度,制備成本較高,效果重復(fù)性較差。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)晶性好、穩(wěn)定性好、制備成本低的錫基鈣鈦礦薄膜,本發(fā)明的另一目的是提供該錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法,本發(fā)明的另一目的是提供該錫基鈣鈦礦薄膜的應(yīng)用。
技術(shù)方案:本發(fā)明所述一種錫基鈣鈦礦薄膜,包括有機脒分子和鈣鈦礦,鈣鈦礦種類為ASnX3,其中A為CH3NH3+或NH2CH=NH2+中的一種或兩種;X至少為I-、Br-或Cl-中的一種。
其中,有機脒分子與鈣鈦礦的質(zhì)量比為0.1%-10%,優(yōu)選為0.5%-1.5%;有機脒分子結(jié)構(gòu)為:
其中,R1,R2,R3,R4各自獨立的選自H、OH、C1-C10的烷基、C1-C10 的烷氧基、C1-C10的酯基、C1-C10的羧基、C1-C10的醇羥基以及被上述任一基團取代的芳基或者雜芳基;R1和R4通過C2-C10的烷基或烷氧基連接成環(huán); R2和R3通過C2-C10的烷基或烷氧基連接成環(huán)。
其中,有機脒分子結(jié)構(gòu)為:
其中,有機脒分子為1,8-二氮雜二環(huán)十一碳-7-烯。
本發(fā)明所述一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法包括以下步驟:
(S1)制備錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液:將鈣鈦礦、有機脒分子溶解到有機溶劑中即得到錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,有機溶劑為DMF和DMSO中的一種或兩種,有機溶劑的摩爾濃度為0.5-1.5M;
(S2)將所述錫基鈣鈦礦前驅(qū)體溶液旋涂到襯底上并熱處理,即得到錫基鈣鈦礦薄膜。
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