[發(fā)明專利]使用邊緣沖洗的襯底基座

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010433169.1
• 申請(qǐng)日: 2020-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN111979529A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·辛格;T·杜恩;C·L·懷特;H·特霍斯特;E·雪羅;B·佐普
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/455
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 張凱

一種工件基座主體可包含：正面，其配置成支撐工件；背面，其與所述正面相對(duì)；工件接觸區(qū)域，其在所述正面的內(nèi)部部分上至少部分地形成支撐邊界；以及多個(gè)軸向通道，其安置在所述基座主體內(nèi)。所述工件接觸區(qū)域能夠安置成在徑向上從以處理配置定位在所述正面上的工件的外邊緣朝內(nèi)。所述多個(gè)軸向通道中的每一個(gè)能夠連接到延伸到所述正面的外部部分中的對(duì)應(yīng)開口。所述開口中的每一個(gè)能夠安置成在徑向上從所述基座主體的所述工件接觸區(qū)域朝外。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2019年5月22日提交的標(biāo)題為“使用邊緣沖洗的襯底基座(SUBSTRATESUSCEPTOR USING EDGE PURGING)”的第62/851414號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)到優(yōu)先權(quán)，其特此以全文引用的方式并入本文中。根據(jù)37CFR 1.57，其中外國(guó)或本國(guó)優(yōu)先權(quán)要求在與本申請(qǐng)一起提交的申請(qǐng)數(shù)據(jù)表中被識(shí)別出的任何和所有申請(qǐng)?zhí)卮艘砸玫姆绞讲⑷氡疚闹小?/p>

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體上涉及半導(dǎo)體處理，且更具體來(lái)說(shuō)，涉及用于支撐處理室中的半導(dǎo)體襯底的基座。

背景技術(shù)

通常在受控工藝條件下進(jìn)行半導(dǎo)體制造工藝，其中襯底支撐在基座上的反應(yīng)室內(nèi)。對(duì)于多個(gè)工藝，在反應(yīng)室內(nèi)加熱半導(dǎo)體襯底(例如，晶片)。在處理期間，可能出現(xiàn)與襯底和基座之間的物理相互作用有關(guān)的多個(gè)質(zhì)量控制問題。

發(fā)明內(nèi)容

在一些實(shí)施例中，提供一種工件基座。所述工件基座主體包括配置成支撐工件的正面和與所述正面相對(duì)的背面。所述工件基座還包含工件接觸區(qū)域，所述工件接觸區(qū)域至少部分地形成圍繞所述正面的內(nèi)部部分的支撐邊界。所述工件接觸區(qū)域配置成在徑向上從以處理配置定位在所述正面上的工件的外邊緣朝內(nèi)安置。所述工件基座還包含安置在所述基座主體內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)軸向通道。所述軸向通道連接到一個(gè)或多個(gè)開口，所述一個(gè)或多個(gè)開口延伸到所述正面的外部部分中。所述開口中的每一個(gè)安置成在徑向上從所述基座主體的所述工件接觸區(qū)域朝外。所述工件接觸區(qū)域所處的高度高于所述面的所述外部部分，以形成在徑向上從所述工件接觸區(qū)域朝外且在軸向上位于所述基座主體的所述面和所述工件之間的間隙。

在一些實(shí)施例中，提供一種用于沖洗工件基座的方法。所述方法包括將工件裝載到基座主體的正面上的工件接觸區(qū)域上，使得所述工件的外邊緣安置成在徑向上從所述工件接觸區(qū)域朝外。所述方法進(jìn)一步包含以處理配置定位所述工件，使得所述基座主體的所述正面與反應(yīng)室流體連通，并且使得所述基座主體的背面與裝載室流體連通。所述方法包含在所述反應(yīng)室內(nèi)提供第一壓力，并且通過(guò)以下操作來(lái)沖洗所述工件的所述外邊緣的背側(cè)：在第二壓力下使沖洗氣體從所述基座主體內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)通道流動(dòng)到在徑向上從所述工件接觸區(qū)域朝外且在軸向上位于基座板的所述正面和所述工件之間的間隙，并使其流動(dòng)到所述反應(yīng)室。所述第二壓力大于所述第一壓力。

附圖說(shuō)明

參考附圖，通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的說(shuō)明性和非限制性的詳細(xì)描述，將更好的理解本發(fā)明概念的以上以及額外目標(biāo)、特征和優(yōu)點(diǎn)。在附圖中，除非另外說(shuō)明，否則相似的參考標(biāo)號(hào)將用于相似的元件。

圖1示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體處理設(shè)備的橫截面，其中工件支撐件處于裝載位置。

圖2示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的圖1的設(shè)備，其中工件支撐件示出為處于處理位置。

圖3示出包含支撐背面和正面的底座的示例基座主體。

圖4A示出基座主體的一部分的示意性橫截面?zhèn)纫晥D。

圖4B示出具有底座的示例基座主體的透視橫截面圖。

圖4C示出包含軸向沖洗通道的示例基座主體，軸向沖洗通道連接主體的正面與主體的背面。

圖5示出示例基座主體的橫截面圖。

圖6示出示例基座主體的橫截面的透視圖。