[發明專利]一種基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器

在審

• 申請號: 202010433019.0
• 申請日: 2020-05-21
• 公開（公告）號: CN111580028A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 中山科立特光電科技有限公司
• 主分類號: G01R33/06
• 分類號: G01R33/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于，包括：襯底、凹槽、磁致伸縮材料層、壓電材料層、半導體層、源極、漏極；所述襯底具有所述凹槽，所述磁致伸縮材料層置于所述凹槽的底部，所述壓電材料層置于所述磁致伸縮材料層上，所述壓電材料層的上表面為平面，所述壓電材料層不低于所述襯底表面，所述半導體層覆蓋所述凹槽，所述源極和所述漏極設置在所述半導體層上，并且所述源極和所述漏極置于所述凹槽的兩側；探測磁場時，磁場作用于所述磁致伸縮材料層，所述磁致伸縮材料層的膨脹導致所述壓電材料層被壓縮，在所述壓電材料層上出現電荷，從而改變所述源極和所述漏極之間的電信號，通過測試該電信號實現磁場的探測。

2.如權利要求1所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述磁致伸縮材料層為鎳合金、鐵基合金、鐵氧體材料。

3.如權利要求2所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述壓電材料層為鋯鈦酸鉛或聚偏二氟乙烯。

4.如權利要求3述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述源極為鋁或金，所述漏極為鋁或金。

5.如權利要求4所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述半導體層是含氮化鎵與鋁鎵氮外延層的硅襯底。

6.如權利要求1-5任一項所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述磁致伸縮材料層的中部具有凸起。

7.如權利要求6所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：在所述半導體層上、所述凹槽的中部設有貴金屬塊。

8.如權利要求7所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述貴金屬塊為金。

9.如權利要求8所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：所述貴金屬塊的寬度大于所述凹槽的寬度。

10.如權利要求9所述的基于磁致伸縮效應的半導體磁場探測器，其特征在于：在所述金屬塊上還設有重物。