[發明專利]柔性顯示面板、柔性顯示面板制備方法以及柔性顯示器

有效

• 申請號: 202010432755.4
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111627928B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 梁超
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/417;H10K59/12;H01L21/84;H01L21/28
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種柔性顯示面板，其特征在于，包括刻蝕阻擋層；

所述刻蝕阻擋層設置在柔性顯示面板的層間介電層與平坦化層之間；處于所述柔性顯示面板的顯示區域內的所述刻蝕阻擋層開設有通孔；所述通孔用于與所述柔性顯示面板的接觸孔連通，并使所述柔性顯示面板的源漏金屬層穿過；

其中，所述刻蝕阻擋層選用在蝕刻過程中氧化硅或氮化硅對所述層間介電層的蝕刻選擇比大于50的材質。

2.根據權利要求1所述的柔性顯示面板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料為以下材料的一種或任意組合：氧化鋁、氧化鉿和銦錫氧化物。

3.一種柔性顯示面板制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供柔性基板，所述柔性基板上形成有多重阻擋層、緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極層和層間介電層；

在所述層間介電層上形成刻蝕阻擋層，并在所述刻蝕阻擋層上形成光刻膠層，所述刻蝕阻擋層選用在蝕刻過程中氧化硅或氮化硅對所述層間介電層的蝕刻選擇比大于50的材質；

基于所述光刻膠層，采用光罩工藝在顯示區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層和所述柵極絕緣層的接觸孔，在彎折區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層、所述柵極絕緣層、所述緩沖層和所述多重阻擋層的深孔；所述接觸孔一端的側壁與所述有源層接觸。

4.根據權利要求3所述的柔性顯示面板制備方法，其特征在于，基于所述光刻膠層，采用光罩工藝在顯示區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、層間介電層和所述柵極絕緣層的接觸孔，在彎折區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層、所述柵極絕緣層、所述緩沖層和所述多重阻擋層的深孔的步驟中，包括步驟：

刻蝕所述彎折區域內未被所述光刻膠層覆蓋的所述刻蝕阻擋層，直至暴露所述層間介電層；

干法刻蝕暴露的所述層間介電層和所述柵極絕緣層，直至刻蝕掉部分的所述柵極絕緣層形成過渡孔；

干法刻蝕所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層和所述柵極絕緣層，形成所述接觸孔，對所述過渡孔進行擴大得到所述深孔。

5.根據權利要求3或4所述的柔性顯示面板制備方法，其特征在于，在所述柔性基板上形成所述多重阻擋層、所述緩沖層、所述有源層、所述柵極絕緣層、所述柵極層和所述層間介電層的步驟包括：

在所述柔性基板上依次形成所述多重阻擋層、所述緩沖層和所述有源層；

在所述緩沖層上形成覆蓋所述有源層的所述柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成所述柵極層；所述柵極層與所述有源層正對；

在所述柵極絕緣層上形成覆蓋所述柵極層的所述層間介電層。

6.根據權利要求5所述的柔性顯示面板制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；所述柵極層包括第一柵極層和第二柵極層；

在所述緩沖層上形成覆蓋所述有源層的所述柵極絕緣層，并在所述柵極絕緣層上形成所述柵極層的步驟中，包括：

在所述緩沖層上形成覆蓋所述有源層的所述第一柵極絕緣層，并在所述第一柵極絕緣層上形成所述第一柵極層；所述第一柵極層與所述有源層正對；

在所述第一柵極絕緣層上形成覆蓋所述第一柵極層的所述第二柵極絕緣層，并在所述第二柵極絕緣層上形成所述第二柵極層；所述第二柵極層與所述第一柵極層。

7.根據權利要求5所述的柔性顯示面板制備方法，其特征在于，在所述柔性基板上依次形成所述多重阻擋層、所述緩沖層和所述有源層的步驟中：

采用準分子激光晶化技術對所述有源層的初始材料進行多晶硅化處理，得到所述有源層。

8.根據權利要求3或4所述的柔性顯示面板制備方法，其特征在于，基于所述光刻膠層，采用光罩工藝在顯示區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層和所述柵極絕緣層的接觸孔，在彎折區域內形成穿透所述刻蝕阻擋層、所述層間介電層、所述柵極絕緣層、所述緩沖層和所述多重阻擋層的深孔的步驟之后，還包括步驟：

在所述接觸孔內形成第一源漏金屬層；所述第一源漏金屬層的一端延伸到所述刻蝕阻擋層上；

在所述深孔內沉積有機材料，形成有機孔層，并在所述有機孔層上形成第二源漏金屬層。