[發明專利]一種碘化亞銅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010432624.6
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113699506B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 明帥強;李楠;趙麗莉;何萌;盧維爾;夏洋;文慶濤;高雅增;冷興龍;李培源;屈芙蓉;劉濤
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種碘化亞銅薄膜的制備方法，其中，所述方法包括：

在原子層沉積反應腔室中放置襯底，將所述反應腔室抽真空并開始進行加熱處理，其中，加熱對象包括襯底、反應腔室、管路、反應源；所述襯底包括硅、藍寶石、玻璃中的一種；

待所述加熱對象穩定在特定溫度時，往所述原子層沉積反應腔室內通入銅源0.001-5s，吹掃1-180s，通入碘源0.001-5s，吹掃1-180s，在所述反應腔室中進行原子層沉積，獲得碘化亞銅薄膜；

沉積完所述碘化亞銅薄膜后，讓所述襯底在真空中自然冷卻到室溫后取出；

得到均勻的碘化亞銅薄膜置于真空干燥箱中備用。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述襯底的加熱溫度范圍為室溫-500℃。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述管路的加熱溫度范圍為室溫-200℃。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述腔室的加熱溫度范圍為室溫-200℃。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述反應源的加熱溫度范圍為室溫-200℃。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述銅源包括新癸酸銅、三氟乙酰丙酮化銅、三甲基膦銅、乙酰丙酮亞銅中的一種。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述碘源包括碘單質、碘化氫，氫碘酸中的一種。

8.如權利要求6所述的方法，其中，所述銅源為乙酰丙酮亞銅蒸汽時，所述方法包括：通入所述乙酰丙酮亞銅蒸汽的時間范圍為0.8-1.2s，用惰性氣體進行吹掃的時間范圍為0-60s。

9.如權利要求7所述的方法，其中，所述碘源為碘化氫時，所述方法包括：通入碘化氫蒸汽的時間范圍為0.2-0.8s，用惰性氣體進行吹掃的時間范圍為20-60s。

10.如權利要求8所述的方法，其中，所述乙酰丙酮亞銅蒸汽通過將固態乙酰丙酮亞銅在原子層沉積設備的固態源加熱裝置中加熱至60-100℃獲得。