[發明專利]半導體激光器、巴條及制作方法有效
| 申請號： | 202010431954.3 | 申請日： | 2020-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN111641102B | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發明（設計）人： | 胡海;謝曳華;邱于珍 | 申請（專利權）人： | 深圳瑞波光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龍 |
| 地址： | 518052 廣東省深圳市南山區西麗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 制作方法 | ||
1.一種半導體激光器，其特征在于，包括：
襯底；
外延結構，覆蓋于所述襯底的上表面；
第一絕緣層，覆蓋于所述外延結構的上表面，并在厚度方向開設有貫穿的電流注入窗口；
第一電極，覆蓋于所述第一絕緣層的上表面以及所述外延結構通過所述電流注入窗口外露的部分的上表面；
第二絕緣層，在對應所述電流注入窗口位置處覆蓋于所述第一電極的上表面，在所述第一絕緣層上的投影的大小與所述電流注入窗口相等，以使得所述第一絕緣層可以部分或全部地抵消所述第一絕緣層在所述電流注入窗口的邊緣處對所述外延結構產生的應力。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一絕緣層的材質和厚度均與所述第二絕緣層相同。
3.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材質均為二氧化硅或氮化硅。
4.根據權利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的厚度均為0.1～0.2um。
5.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一絕緣層的材質與所述第二絕緣層相同，所述第一絕緣層的厚度小于所述第二絕緣層。
6.根據權利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度與所述第二絕緣層相同，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的材質不同，以使得所述第一絕緣層對所述外延結構產生的應力小于所述第二絕緣層對所述外延結構產生的應力。
7.根據權利要求1～6任一所述的半導體激光器，其特征在于，還包括：
第二電極，覆蓋于所述第二絕緣層的上表面以及所述第一電極露出于所述第二絕緣層的部分的上表面。
8.一種巴條，其特征在于，包括權利要求1～7任一所述的半導體激光器。
9.一種半導體激光器的制作方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上表面外延生長形成覆蓋于所述襯底的外延結構；
在所述外延結構的上表面沉積形成覆蓋于所述外延結構的第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上開設沿其厚度方向貫穿的電流注入窗口；
在所述第一絕緣層的上表面沉積形成第一電極，以使得所述第一電極覆蓋于所述第一絕緣層以及所述外延結構通過所述電流注入窗口外露的部分的上表面；
在所述第一電極的上表面沉積形成第二絕緣層，以使得所述第二絕緣層在對應所述電流注入窗口位置處覆蓋于所述第一電極，以及在所述第一絕緣層上的投影的外輪廓與所述電流注入窗口的邊緣相對應，并使得所述第二絕緣層可以部分或全部地抵消所述第一絕緣層在所述電流注入窗口的邊緣處對所述外延結構產生的應力。
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