[發明專利]電鍍密封件檢查系統及偵測材料電鍍的方法在審
| 申請號: | 202010431948.8 | 申請日: | 2020-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN111968928A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 馬修·海勒;大衛·布里克 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C25D17/00;C25D21/12 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電鍍 密封件 檢查 系統 偵測 材料 方法 | ||
1.一種電鍍密封件檢查系統,包括:
一模塊,經構造以支撐用于檢查的一密封件,該模塊包括一組支撐件,經定位以接觸該密封件的一內邊,其中該模塊經構造以繞著一中心軸旋轉該密封件;以及
一檢測器,位于該模塊上,其中該檢測器經定位以掃描該密封件的一外表面。
2.如權利要求1所述的電鍍密封件檢查系統,其中該密封件以一外表面輪廓作為特征,該外表面輪廓包括一斜面,該斜面從該斜面的一第一邊緣延伸至該斜面的一第二邊緣,該斜面的該第一邊緣接觸該密封件的一徑向內部表面,該斜面的該第二邊緣接觸該密封件的一徑向外部表面。
3.如權利要求2所述的電鍍密封件檢查系統,其中該檢測器包括固定于一柱上的一激光和一接收器,該柱從該模塊的一甲板板材延伸。
4.如權利要求3所述的電鍍密封件檢查系統,其中該激光包括以一光束寬度作為特征的一光束,其中該光束寬度實質上等同于一距離,該距離沿著該斜面的該第一邊緣和該斜面的該第二邊緣之間的該斜面。
5.如權利要求3所述的電鍍密封件檢查系統,其中該接收器經構造以接收來自該密封件的該激光的反射光。
6.如權利要求3所述的電鍍密封件檢查系統,更包括一處理器,通信耦接于該檢測器,和經構造以在一主掃描操作中于一預定間隔接收來自該檢測器的一反射信號的一取樣。
7.如權利要求6所述的電鍍密封件檢查系統,其中該處理器經構造以產生該反射信號的該取樣的一平滑化信號。
8.如權利要求7所述的電鍍密封件檢查系統,其中該處理器進一步經構造以辨識出高于表示沉積于該密封件上的殘留材料的一閾值的多個反射信號。
9.如權利要求8所述的電鍍密封件檢查系統,其中該處理器進一步經構造以基于辨識出高于表示該殘留材料的該閾值的該些反射信號來執行一次掃描操作,以驗證一離群讀數。
10.如權利要求9所述的電鍍密封件檢查系統,其中,基于驗證,該處理器經構造以開始該密封件的一清潔操作,或使該密封件避免被再次定位于一電鍍腔室中。
11.如權利要求8所述的電鍍密封件檢查系統,其中辨識出高于表示該殘留材料的該閾值的該些反射信號更包括辨識出高于表示該殘留材料并表示該平滑化信號的一第一斜率改變的該閾值的一第一反射信號。
12.如權利要求12所述的電鍍密封件檢查系統,其中辨識出高于表示該殘留材料的該閾值的該些反射信號更包括辨識出高于表示該殘留材料并表示該平滑化信號中的一第二斜率改變的該閾值的一第二反射信號,其中該第二斜率改變以相反于該第一斜率改變的一斜率方向作為特征。
13.如權利要求1所述的電鍍密封件檢查系統,更包括一密封件清潔組件,該密封件清潔組件包括一臂,該臂在一第一位置和一第二位置之間是可樞轉的,其中該臂繞著該臂的一中心軸為可旋轉,并且其中該密封件清潔組件包括耦接于該臂的一遠端部的一清潔頭,。
14.一種偵測材料電鍍的方法,該方法包括:
在位于一模塊上的一密封件的一外表面反射一激光;
在持續反射該激光時旋轉該密封件;
取樣一反射信號,以產生一原始數據組;
通過減少來自該原始數據組的噪聲來產生一平滑化信號;以及
確定該平滑化信號上的任何位置的斜率是否超過表示沉積于該密封件上的殘留材料的一閾值。
15.如權利要求14所述的偵測材料電鍍的方法,其中表示該殘留材料的該閾值包括該些位置斜率的一中值的一倍數。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010431948.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種圖嵌入向量的生成方法以及推薦網絡模型的生成方法
- 下一篇:連續安全光
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





