[發明專利]一種摻雜的碘化亞銅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010431946.9
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113699505B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 明帥強;趙麗莉;李楠;何萌;盧維爾;夏洋;高雅增;文慶濤;李培源;冷興龍;劉濤;屈芙蓉
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種摻雜的碘化亞銅薄膜的制備方法，其中，所述方法包括：

在原子層沉積反應腔室中放置襯底，將所述反應腔室抽真空并開始進行加熱處理，其中，加熱對象包括襯底、反應腔室、管路、反應源；所述襯底包括硅、藍寶石、玻璃中的一種；

待所述加熱對象穩定在特定溫度時，往所述原子層沉積反應腔室內通入銅源0.001-5s，吹掃1-180s，通入碘源0.001-5s，吹掃1-180s，

往所述反應腔室內通入所述銅源0.001-5s，吹掃1-180s，通入摻雜源0.001-5s，吹掃1-180s，在反應腔室中進行原子層沉積，獲得摻雜的碘化亞銅薄膜，其中，所述摻雜源包括氯源、溴源中的一種；

沉積完所述摻雜的碘化亞銅薄膜后，讓所述襯底在真空中自然冷卻到室溫后取出，得到均勻的摻雜的碘化亞銅薄膜置于真空干燥箱中備用。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述襯底的加熱溫度范圍為室溫-500℃；所述管路的加熱溫度范圍為室溫-200℃；所述腔室的加熱溫度范圍為室溫-200℃。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述反應源的加熱溫度范圍為室溫-200℃。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述銅源包括[雙(三甲基甲硅烷基)乙酰亞基](六氟乙酰基丙酮酸根)銅(I)、新癸酸銅、雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)銅、三氟乙酰丙酮化銅、三甲基膦(六氟乙酰丙酮)銅、乙酰丙酮亞銅中的一種。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述碘源包括碘單質、碘化氫，氫碘酸中的一種。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述氯源包括氯氣，氯化氫中的一種，所述溴源包括溴單質、溴化氫中的一種。

7.如權利要求4所述的方法，其中，所述銅源為[雙(三甲基甲硅烷基)乙酰亞基](六氟乙酰基丙酮酸根)銅(I)時，所述方法包括：通入所述[雙(三甲基甲硅烷基)乙酰亞基](六氟乙酰基丙酮酸根)銅(I)的時間范圍為0.8-1.2s，用惰性氣體進行吹掃的時間范圍為20-60s。

8.如權利要求5所述的方法，其中，所述碘源為碘化氫時，所述方法包括：通入所述碘化氫的時間范圍為0.2-0.8s，用惰性氣體進行吹掃的時間范圍為20-60s。

9.如權利要求6所述的方法，其中，所述氯源為氯化氫時，所述方法包括：通入所述氯化氫的時間范圍為0.2-0.8s，用惰性氣體吹掃的時間范圍為20-60s。

10.如權利要求4所述的方法，其中，所述[雙(三甲基甲硅烷基)乙酰亞基](六氟乙酰基丙酮酸根)銅(I)通過將固態[雙(三甲基甲硅烷基)乙酰亞基](六氟乙酰基丙酮酸根)銅(I)在原子層沉積設備的固態源加熱裝置中加熱至60-100℃獲得。