[發明專利]包括配置端子的電路和方法在審
| 申請號: | 202010431654.5 | 申請日: | 2020-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN111988028A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | W·巴卡爾斯基;A·貝尼施 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175;H03K19/0185;H03K17/687;H03K19/00;H03K19/003 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 黃倩 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 配置 端子 電路 方法 | ||
1.一種電路(10),包括:
配置端子(12;20),其被配置為在所述電路(10)的配置階段接收配置信號,
內部節點(15;21),其耦合到所述電路(10)的內部電路系統(17)以及
開關(13;22,23),其耦合在所述配置端子(12;20)與所述內部節點(15;21)之間,其中所述開關(13;22,23)被配置為在所述配置階段期間將所述配置端子(12)與所述內部節點(15)耦合,并且在所述電路(10)的正常操作期間將所述配置端子(12)從所述內部節點(15)去耦合。
2.根據權利要求1所述的電路(10),其中所述開關(13;22,23)包括傳輸門,所述傳輸門包括PMOS晶體管(22)和NMOS晶體管(23)。
3.根據權利要求2所述的電路(10),還包括RC濾波器(25;26)和/或RC濾波器(211;212),所述RC濾波器(25;26)被配置以將所述PMOS晶體管(22)的阱耦合到所述參考電位,所述RC濾波器(211;212)被配置以將所述NMOS晶體管(23)的阱耦合到所述參考電位。
4.根據權利要求1至權利要求3中任一項所述的電路(10),還包括另外的開關(14;24),其中所述另外的開關(14;24)被配置為在正常操作模式期間將所述內部節點(15;21)耦合到參考電位GND并且在所述配置階段中將所述內部節點(15)從所述參考電位GND去耦合。
5.根據權利要求1至權利要求4中任一項所述的電路(10),還包括耦合到所述內部節點(15)的ESD保護電路系統(16)。
6.根據權利要求1至權利要求5中任一項所述的電路(10),還包括控制電路系統(18),所述控制電路系統(18)被配置為控制所述開關(13;22,23)和/或所述另外的開關(14;24)。
7.根據權利要求1至權利要求5中任一項所述的電路(10),還包括另外的端子,所述另外的端子被配置為控制所述開關(13;22,23)和/或所述另外的開關(14;24)。
8.根據權利要求1至權利要求7中任一項所述的電路(10),還包括耦合在所述開關(13;22,23)的端子與參考電位之間的電容器(27)。
9.根據權利要求1至權利要求8中任一項所述的電路(10),還包括射頻端子(19),所述射頻端子(19)被配置為接收鄰近所述配置端子(10;20)的射頻信號。
10.一種方法,包括:
在配置階段期間將配置端子(10;20)耦合到電路(10)的內部節點(15;21)以及
在正常操作期間將所述配置端子(10;20)從所述內部節點(15;21)去耦合。
11.根據權利要求10所述的方法,還包括在正常操作期間將所述內部節點耦合到參考電位GND,并且在所述配置階段期間將所述內部節點從所述參考電位GND去耦合。
12.根據權利要求10或權利要求11所述的方法,還包括將所述配置端子或所述內部節點電容性地耦合到參考電位。
13.根據權利要求10至權利要求12中任一項所述的方法,還包括在正常操作期間將射頻信號施加到所述電路(10)的另外的端子(19)。
14.根據權利要求10至權利要求13中任一項所述的方法,其中ESD保護電路系統(16)被耦合到所述內部節點(15)。
15.根據權利要求10至權利要求14中任一項所述的方法,其中使用權利要求1至權利要求9中的任一項的所述電路來執行所述方法。
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