[發明專利]一種基于碲烯的偏振光光電探測器及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202010431621.0
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111668325A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 張晗;高珊
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L31/0272
• 分類號: H01L31/0272;H01L31/119;H01L31/18
• 代理公司: 廣州專才專利代理事務所(普通合伙) 44679
• 代理人: 曾嘉儀

1.一種基于碲烯的偏振光光電探測器，其特征在于，包括襯底和設置于襯底上的碲烯層、以及設置于碲烯層上的源電極和漏電極，所述源電極與漏電極設置成通過碲烯層間接連接；

所述碲烯層的厚度小于等于20nm。

2.如權利要求1所述的基于碲烯的偏振光光電探測器，其特征在于，所述襯底為二氧化硅襯底，所述二氧化硅襯底的厚度為200～500nm。

3.如權利要求1所述的基于碲烯的偏振光光電探測器，其特征在于，還包括基底層，所述基底層為n型或者p型摻雜的硅制成的硅基底層。

4.如權利要求3所述的基于碲烯的偏振光光電探測器，其特征在于，所述硅基底層的厚度為300～500μm，所述硅基底層的電阻率為1～10Ω·cm。

5.如權利要求1所述的基于碲烯的偏振光光電探測器，其特征在于，所述源電極及漏電極均包括鉻層和金層，所述鉻層設于碲烯層與金層之間；

其中，所述鉻層的厚度為5～10nm，所述金層的厚度為40～100nm。

6.一種基于碲烯的偏振光光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備襯底和碲烯層：提供襯底和碲烯的乙醇分散液，將碲烯的乙醇分散液滴加到襯底上、干燥，制得襯底和碲烯層；

制備電極圖案：在襯底上旋涂光刻膠PMMA、烘干，使用電子束對光刻膠進行曝光后，顯影得到電極圖案，所述電極圖案設于碲烯層上，且電極圖案用于暴露碲烯層的表面；

制備基于碲烯的偏振光光電探測器：在電極圖案處沉積電極且電極與碲烯層連接，制得基于碲烯的偏振光光電探測器。

7.如權利要求6所述的基于碲烯的偏振光光電探測器的制備方法，其特征在于，在制備襯底和碲烯層步驟中，所述襯底為二氧化硅襯底，且所述二氧化硅襯底上設有p型或n型摻雜的硅基底；

用滴管取若干滴碲烯的乙醇分散液滴至二氧化硅襯底上，用氮氣吹干，制得襯底和碲烯層。

8.如權利要求6所述的基于碲烯的偏振光光電探測器的制備方法，其特征在于，在制備電極圖案步驟中，在二氧化硅襯底上旋涂光刻膠PMMA，轉速為300～4000轉/分鐘，旋涂9～60秒，轉移至加熱板上烘干1～5分鐘，烘干溫度為80～150攝氏度；

使用電子束對涂有光刻膠的二氧化硅襯底進行曝光，再通過顯影技術得到電極圖案。

9.如權利要求6所述的基于碲烯的偏振光光電探測器的制備方法，其特征在于，在制備基于碲烯的偏振光光電探測器步驟中，通過熱蒸鍍的方法在電極圖案處先后蒸鍍5～10nm的鉻和40～100nm的金；

將蒸鍍得到的電極放入丙酮中浸泡，同時加熱10～20分鐘，加熱溫度設為30～50攝氏度，后取出樣品、氮氣吹干，制得基于碲烯的偏振光光電探測器。

10.如權利要求1-5任一項所述的基于碲烯的偏振光光電探測器在偏振光探測上的應用。