[發(fā)明專利]一種IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路及測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010431615.5
• 申請(qǐng)日: 2020-05-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111579958B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐新靈;吳軍民;賽朝陽(yáng);張朋;王亮;林仲康;杜玉杰;張西子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司;國(guó)網(wǎng)湖北省電力有限公司;國(guó)家電網(wǎng)有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26;H02H7/22
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 張琳琳

1.一種IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，包括負(fù)載電感電路和直流母線電源，所述直流母線電源與所述負(fù)載電感電路以及被測(cè)IGBT器件串聯(lián)，其特征在于，包括：

第一開(kāi)關(guān)器件，連接在所述直流母線電源的正極與所述負(fù)載電感電路的輸出端之間，用于切斷或者接通直流母線；

電阻R1，第一端連接所述第一開(kāi)關(guān)器件的低壓端，第二端與負(fù)載電感電路的輸入端連接，用于在所述被測(cè)IGBT器件和/或所述第一開(kāi)關(guān)器件和/或所述負(fù)載電感電路失效時(shí)，吸收所述直流母線電源的電量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，其特征在于，還包括：

電容C1，正極與所述開(kāi)關(guān)器件的低壓端和所述電阻R1的第一端連接，負(fù)極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，其特征在于，所述負(fù)載電感電路包括：

負(fù)載電感L，第一端與所述電阻R1的第二端連接，第二端與所述被測(cè)IGBT器件的集電極連接；

續(xù)流二極管，負(fù)極與所述負(fù)載電感L的第一端連接，正極與所述負(fù)載電感L的第二端連接；

第二開(kāi)關(guān)器件，集電極與所述負(fù)載電感L的第一端和所述續(xù)流二極管的負(fù)極連接，基極與所述負(fù)載電感L的第二端和所述續(xù)流二極管的正極連接，發(fā)射集與所述被測(cè)IGBT器件的集電極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，其特征在于，所述負(fù)載電感電路還包括：

電阻R2，與負(fù)載電感L串聯(lián)，用于吸收所述負(fù)載電感L存儲(chǔ)的電量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)器件為直流斷路器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，其特征在于，還包括：

柵極電阻r_g，第一端連接所述被測(cè)IGBT器件的基極，第二端接地。

7.一種IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試方法，其特征在于，用于權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試電路，所述IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試方法包括：

確定被測(cè)IGBT器件的測(cè)試時(shí)序信號(hào)和第一開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；

利用所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)和所述第一開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，測(cè)試被測(cè)IGBT器件關(guān)斷特性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試方法，其特征在于，所述利用所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)和所述第一開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，測(cè)試被測(cè)IGBT器件關(guān)斷特性，包括：

基于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第一開(kāi)關(guān)器件在第一時(shí)刻導(dǎo)通；

基于所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)控制所述被測(cè)IGBT器件在第二時(shí)刻導(dǎo)通，其中，第二時(shí)刻晚于所述第一時(shí)刻；

基于所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)控制所述被測(cè)IGBT器件在第三時(shí)刻關(guān)斷；

基于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第一開(kāi)關(guān)器件在第四時(shí)刻關(guān)斷，其中，所述第四時(shí)刻晚于所述第三時(shí)刻；

檢測(cè)所述被測(cè)IGBT器件在關(guān)斷過(guò)程的電壓、電流波形，以獲得所述被測(cè)IGBT器件的關(guān)斷參數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試方法，其特征在于，在所述利用所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)和所述第一開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，測(cè)試被測(cè)IGBT器件關(guān)斷特性之后，還包括：

基于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第一開(kāi)關(guān)器件在第五時(shí)刻導(dǎo)通；

基于所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)控制所述被測(cè)IGBT器件在第六時(shí)刻導(dǎo)通，其中，第六時(shí)刻晚于所述第五時(shí)刻；

基于所述測(cè)試時(shí)序信號(hào)控制所述被測(cè)IGBT器件在第七時(shí)刻關(guān)斷；

基于所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)控制所述第一開(kāi)關(guān)器件在第八時(shí)刻導(dǎo)通，其中，所述第八時(shí)刻晚于所述第七時(shí)刻；

檢測(cè)所述被測(cè)IGBT器件在開(kāi)通過(guò)程的電壓、電流波形，以獲得所述被測(cè)IGBT器件的開(kāi)通參數(shù)。