[發明專利]圖形修正方法

在審

• 申請號: 202010431463.9
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113703277A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 杜杳雋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種圖形修正方法，其特征在于，包括：

提供底層結構，所述底層結構包括若干平行排列的導電層；

提供待修正版圖，所述待修正版圖具有若干待修正圖形，所述待修正版圖用于在所述底層結構上形成圖形化層；

通過所述待修正圖形獲取第一信息；

通過所述導電層獲取第二信息；

根據所述第一信息和第二信息獲取刻蝕偏差；

根據刻蝕偏差對待修正圖形進行修正，獲取目標圖形。

2.如權利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，根據所述第一信息和第二信息獲取刻蝕偏差的方法包括：獲取卷積神經網絡模型；采用卷積神經網絡模型，對所述第一信息和第二信息進行處理以獲取刻蝕偏差。

3.如權利要求2所述的圖形修正方法，其特征在于，對所述第一信息和第二信息進行處理以獲取刻蝕偏差的方法包括：根據第一信息和第二信息獲取輸入向量v；采用卷積神經網絡模型，對輸入向量v進行處理以獲取刻蝕偏差。

4.如權利要求3所述的圖形修正方法，其特征在于，根據第一信息和第二信息獲取輸入向量v的方法包括：根據第一信息獲取第一向量v₀；根據第二信息獲取第二向量v_g；將所述第一向量v₀和第二向量v_g串接，獲取輸入向量v＝v₀+v_g。

5.如權利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，所述待修正圖形包括：相對的第一短邊LE1和第二短邊LE2；與第一短邊LE1和第二短邊LE2垂直的第二邊，所述第二邊兩端分別與第一短邊LE1和第二短邊LE2相接。

6.如權利要求5所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取所述待修正圖形的第一信息的方法包括：獲取第一尺寸CD，所述第一尺寸CD為所述第一短邊LE1和第二短邊LE2的邊長；獲取第二尺寸L，所述第二尺寸L為所述第二邊的邊長，第二尺寸L大于所述第一尺寸CD；獲取第一間距space，所述第一間距space為相鄰平行待修正圖形之間的間距。

7.如權利要求6所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取第一向量v₀的方法包括：根據第一尺寸CD、第二尺寸L和第一間距space獲取第一向量v₀；所述第一向量v₀＝[CD，space，L]。

8.如權利要求6所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取所述待修正圖形的第一信息的方法還包括：將所述第二邊分割成若干線段；獲取第二間距dist1，所述第二間距dist1為任一所述線段的中點與所述第一短邊LE1的距離；獲取第三間距dist2，所述第三間距dist2為任一所述線段的中點與所述第二短邊LE2的距離；所述線段類型type包括：第一類線段、第二類線段或第三類線段，所述第一類線段為若干線段中與所述第一短邊LE1或第二短邊LE2相接的線段，所述第二類線段為若干線段中與所述第一短邊LE1和第二短邊LE2不相接的線段，所述第三類線段包括所述第一短邊LE1和第二短邊LE2。

9.如權利要求8所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取第一向量v₀的方法還包括：根據第一尺寸CD、第二尺寸L、第一間距space、線段類型type、第二間距dist1和第三間距dist2獲取第一向量v₀，所述第一向量v₀＝[CD，space，L，type，dist1，dist2]。