[發明專利]精準制備鰭式結構深度的自動制程控制方法

在審

• 申請號: 202010431303.4
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN113707554A
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 張峰溢
• 申請（專利權）人: 廣東漢豈工業技術研發有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/306;H01L21/66
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 郭偉剛

1.一種精準制備鰭式結構深度的自動制程控制方法，其特征在于，在鰭式結構深度控制到小于+/-0.5nm；微笑曲線深度小于1.0nm；制程末端的微笑曲線小于6.0nm,所述自動制程方法包括以下步驟：

S1)在半導體制程淺溝槽隔離結構流程中,完成至二氧化硅化學機械研磨步驟；

S2)進行淺溝槽隔離回蝕，其中，蝕刻參數修正則是參考前批第一次自動制程控制(APC-1)的深度量測數值；

S3用硫酸加雙氧水進行SPM芯片清洗；

S4)去除氮化硅硬式罩幕；

S5)量測蝕刻深度并執行第一次自動制程控制(APC-1)，將量測值回饋給S2)淺溝槽隔離回蝕；

S6)進行第一次鰭式結構深度蝕刻，其中，蝕刻參數修正則是參考前批第二次自動制程控制(APC-2)的深度量測數值；

S7)量測蝕刻深度并並執行第二次自動制程控制(APC-2)，將量測值回饋給S6)進行的第一次鰭式結構深度蝕刻；

S8)進行第二次鰭式結構深度蝕刻，其中，蝕刻參數修正則是參考前批第三次自動制程控制(APC-3)的深度量測數值；

S9)量測蝕刻深度并執行第三次自動制程控制(APC-3)，將量測值回饋給S8)第二次鰭式結構深度蝕刻。

2.根據權利要求1所述方法，其特征在于，所述方法適用于硅芯片或鍺化硅芯片。

3.根據權利要求1所述方法，其特征在于，還包括用于經過或未經過退火的流動性二氧化硅沉積或是具有高介電常數或低介電常數或高低介電常數混合的化學氣相二氧化硅沉積。

4.根據權利要求1所述方法，其特征在于，還包括利用濕或干的蝕刻進行的淺溝槽隔離回蝕工藝的自動制程控制。

5.根據權利要求1所述方法，其特征在于，鰭式結構深度蝕刻的自動制程控制包括一個或多個等向性熱制程蝕刻工藝法和/或等向性電漿蝕刻工藝的自動制程控制。