[發明專利]一種原位合成二氧化鈰/石墨相氮化碳復合光催化材料的方法

有效

• 申請號: 202010430925.5
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111672497B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 郭磊;楊靖霞;張慧青
• 申請（專利權）人: 上海工程技術大學
• 主分類號: B01J23/10
• 分類號: B01J23/10;B01J27/24;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/36;C02F101/34;C02F101/22
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 顧艷哲

1.一種原位合成CeO₂/g-C₃N₄復合光催化材料的方法，其特征在于，為以下步驟：

（1）將從雙氰胺前驅體獲得的g-C₃N₄納米片加入堿溶液中攪拌10-14 h；所述堿溶液為KOH溶液，KOH溶液的濃度是10-18 mol/L；其中，g-C₃N₄納米片采用如下方法制得：將雙氰胺在馬弗爐中煅燒得到體相g-C₃N₄，使用熱刻蝕法燒結體相g-C₃N₄即得到g-C₃N₄納米片；

（2）加入Ce(NO₃)₃·6H₂O溶液靜置30-50 h；所述Ce(NO₃)₃·6H₂O溶液的濃度是2-6 mol/L；所述g-C₃N₄納米片和Ce(NO₃)₃·6H₂O的摩爾比為1：1-9；

（3）將得到的沉淀經離心分離、洗滌、真空干燥后，得到產物CeO₂/g-C₃N₄復合光催化材料。

2.根據權利要求1所述的一種原位合成CeO₂/g-C₃N₄復合光催化材料的方法，其特征在于，雙氰胺的煅燒溫度是520-580℃，煅燒時間是3-5 h，升溫速率是2℃/min，冷卻速率是1℃/min；體相g-C₃N₄熱刻蝕法燒結溫度是460-540℃，燒結時間是1-3 h，升溫速率是5℃/min。

3.根據權利要求1所述的一種原位合成CeO₂/g-C₃N₄復合光催化材料的方法，其特征在于，步驟（3）中離心分離的轉速為8000～11000 rpm，離心分離的時間為5~15 min，洗滌采用去離子水。

4.根據權利要求1所述的一種原位合成CeO₂/g-C₃N₄復合光催化材料的方法，其特征在于，步驟（3）中真空干燥的真空度為0~133 Pa，真空干燥的溫度為50~90℃，真空干燥的時間為6~24 h。