[發明專利]基于March算法優化的DRAM檢測故障方法、裝置及系統

在審

• 申請號: 202010430365.3
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN112053732A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 李斌
• 申請（專利權）人: 深圳市宏旺微電子有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/54
• 代理公司: 深圳市諾正鑫澤知識產權代理有限公司 44689
• 代理人: 林國友

1.一種基于March算法優化的DRAM檢測故障方法，其特征在于，包括：

定位DRAM存儲器內各單元的讀寫地址；

加載預存的新型改進算法以獲取與讀寫地址數量和位置相應的測試寫入值和與所述測試寫入值對應的測試讀取值；

將所述測試寫入值一一對應的寫入DRAM存儲器中各個讀寫地址位置；

對應的獲取各個讀寫地址位置反饋的實際讀取值；

比對判斷所述測試讀取值和實際讀取值是否符合預設定的驗證規則；

若否，則判定所述DRAM存在故障。

2.根據權利要求1所述的基于March算法優化的DRAM檢測故障方法，其特征在于，所述新型改進算法包括順序寫讀數據算法，所述測試寫入值包括第一pattern值，所述測試讀取值采用與測試寫入值相同的第一pattern值；所述將所述測試寫入值一一對應的寫入DRAM存儲器中各個讀寫地址位置，對應的獲取各個讀寫地址位置反饋的實際讀取值，比對判斷所述測試讀取值和實際讀取值是否符合預設定的驗證規則，若否，則判定所述DRAM存在故障的步驟包括：

確定DRAM存儲器中各個讀寫地址的順序排列；

從所述各個讀寫地址的順序排列的起始位置直至終點位置按順序寫入所述測試寫入值的第一pattern值；

從所述各個讀寫地址的順序排列的起始位置直至終點位置按順序讀取所述實際讀取值；

判斷讀取到的多個所述實際讀取值與測試讀取值的第一pattern值是否相同；

若存在一項或多項不相同，則判定所述DRAM存在故障。

3.根據權利要求2所述的基于March算法優化的DRAM檢測故障方法，其特征在于，所述測試寫入值包括與第一pattern值相反的第二pattern值，所述測試讀取值采用與測試寫入值的第二pattern值相同的第二pattern值；所述將測試寫入值一一對應的寫入DRAM存儲器中各個讀寫地址位置，對應的獲取各個讀寫地址位置反饋的實際讀取值，比對判斷所述測試讀取值和實際讀取值是否符合預設定的驗證規則，若否，則判定所述DRAM存在故障的步驟還包括：

確定DRAM存儲器中各個讀寫地址的順序排列；

從所述各個讀寫地址的順序排列的終點位置直至起始位置按順序寫入所述測試寫入值的第二pattern值；

從所述各個讀寫地址的順序排列的終點位置直至起始位置按順序讀取所述實際讀取值；

判斷讀取到的多個所述實際讀取值與所述測試讀取值的第二pattern值是否相同；

若存在一項或多項不相同，則判定所述DRAM存在故障。

4.根據權利要求3所述的基于March算法優化的DRAM檢測故障方法，其特征在于，提供第一測試緩存將

所述從各個讀寫地址的順序排列的起始位置直至終點位置按順序寫入所述測試寫入值的第一pattern值；從所述各個讀寫地址的順序排列的起始位置直至終點位置按順序讀取所述實際讀取值；判斷讀取到的多個所述實際讀取值與測試讀取值的第一pattern值是否相同；若存在一項或多項不相同，則判定所述DRAM存在故障；以及

所述從各個讀寫地址的順序排列的終點位置直至起始位置按順序寫入所述測試寫入值的第二pattern值；從所述各個讀寫地址的順序排列的終點位置直至起始位置按順序讀取所述實際讀取值；判斷讀取到的多個所述實際讀取值與測試讀取值的第二pattern值是否相同；若存在一項或多項不相同，則判定所述DRAM存在故障；中的任一項導入至第一測試緩存中，以同時進行正序與反序故障檢測。