[發(fā)明專利]一種探測(cè)分子手性的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010430343.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111537446A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 金華伏安光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/21 | 分類號(hào): | G01N21/21;G01R33/032 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 322200 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 探測(cè) 分子 手性 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種探測(cè)分子手性的方法,應(yīng)用手性分子在紫外光處對(duì)不同偏振的圓偏振光的不同光吸收特性,在半導(dǎo)體線上產(chǎn)生不同的熱量,從而改變半導(dǎo)體線的電阻,在電壓不變的情況下,改變半導(dǎo)體線中的電流,從而改變半導(dǎo)體線附近的磁場(chǎng);利用金剛石氮?空位色心測(cè)量磁場(chǎng)的高靈敏性,測(cè)量不同圓偏振光時(shí),磁場(chǎng)的差異,確定分子手性。因?yàn)榘雽?dǎo)體線制備簡(jiǎn)單、手性分子和半導(dǎo)體線的接觸面積大,所以本發(fā)明具有靈敏度高和使用便捷的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及分子手性探測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種探測(cè)分子手性的方法。
背景技術(shù)
手性是生命有序化和組織化的基礎(chǔ)。分子手性的探測(cè)對(duì)于研究生命的起源和研發(fā)藥物具有重要意義。
常用的分子手性探測(cè)方法有色譜法、傳感器法和光譜法等。發(fā)展具有高靈敏度和高便捷性的分子手性探測(cè)方法是手性識(shí)別領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種探測(cè)分子手性的方法,該方法包括以下步驟:
第一步、在絕緣襯底上制備半導(dǎo)體線,在半導(dǎo)體線的兩端連接電極;
第二步、在半導(dǎo)體線上設(shè)置手性分子;
第三步、應(yīng)用不同偏振的紫外線圓偏振光照射手性分子,在兩電極間施加固定的電壓;
第四步、在半導(dǎo)體線附近設(shè)置金剛石顆粒,金剛石顆粒均含有氮-空位色心,應(yīng)用預(yù)設(shè)波長(zhǎng)的激發(fā)光激發(fā)氮-空位色心受激輻射熒光,同時(shí)對(duì)金剛石顆粒施加預(yù)定掃頻范圍的微波,收集熒光,根據(jù)熒光強(qiáng)度隨微波頻率的變化曲線,確定金剛石顆粒處的磁場(chǎng);
第五步、根據(jù)圓偏振光的不同偏振時(shí)磁場(chǎng)的差異,判斷分子手性。
更進(jìn)一步地,第一步中半導(dǎo)體線為平面螺旋線。
更進(jìn)一步地,平面螺旋線為阿基米德螺旋線。
更進(jìn)一步地,第四步中測(cè)量阿基米德螺旋線中心上部的磁場(chǎng)。
更進(jìn)一步地,第四步中激發(fā)光的波長(zhǎng)為532納米。
更進(jìn)一步地,第四步中微波的掃頻范圍為2.8GHz-2.94GHz。
更進(jìn)一步地,第一步中半導(dǎo)體線為氧化鋅線。
更進(jìn)一步地,氧化鋅線的寬度小于1微米。
更進(jìn)一步地,氧化鋅線上設(shè)有凹槽。
更進(jìn)一步地,第二步中,在凹槽和氧化鋅線上設(shè)置手性分子后,再在手性分子上覆蓋二維材料。
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供了一種探測(cè)分子手性的方法,應(yīng)用手性分子在紫外光處對(duì)不同偏振的圓偏振光的不同光吸收特性,在半導(dǎo)體線上產(chǎn)生不同的熱量,從而改變半導(dǎo)體線的電阻,在電壓不變的情況下,改變半導(dǎo)體線中的電流,從而改變半導(dǎo)體線附近的磁場(chǎng);利用金剛石氮-空位色心測(cè)量磁場(chǎng)的高靈敏性,測(cè)量不同圓偏振光時(shí),磁場(chǎng)的差異,確定分子手性。因?yàn)榘雽?dǎo)體線制備簡(jiǎn)單、手性分子和半導(dǎo)體線的接觸面積大,所以本發(fā)明具有靈敏度高和使用便捷的優(yōu)點(diǎn)。
以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
附圖說(shuō)明
圖1是平面螺旋線形狀的半導(dǎo)體線的示意圖。
圖2是具有凹槽的氧化鋅線的示意圖。
圖中:1、半導(dǎo)體線;2、電極;3、襯底;4、凹槽;5、手性分子;6、二維材料。
具體實(shí)施方式
為進(jìn)一步闡述本發(fā)明達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)特征及其功效,詳細(xì)說(shuō)明如下。
實(shí)施例1
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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