[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010430139.5
• 申請(qǐng)日: 2020-05-20
• 公開（公告）號(hào): CN111987232A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸茂真;黃強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 諾瓦爾德股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32;F21K9/20
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王潛;郭國(guó)清

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管。具體地，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，其包含陽(yáng)極、發(fā)光層、空穴傳輸層和電子阻擋層，其中空穴傳輸層和電子阻擋層布置在陽(yáng)極與發(fā)光層之間，并且電子阻擋層與發(fā)光層相鄰并接觸，其中電子阻擋層包含式(I)的化合物，其中Ar¹、Ar²和Ar³獨(dú)立地選自C₆～C₄₈芳基，并且Ar¹～Ar³中的至少一者由式(II)表示，其中空穴傳輸層包含空穴傳輸基質(zhì)化合物，其中空穴傳輸基質(zhì)化合物的最高占據(jù)分子軌道的能級(jí)比如下化合物的最高占據(jù)分子軌道的能級(jí)更負(fù)，其中最高占據(jù)分子軌道的相應(yīng)能級(jí)是將真空能級(jí)作為零在絕對(duì)能量刻度上確定的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管。具體地，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管對(duì)于其層結(jié)構(gòu)的電子性能得到了優(yōu)化。

背景技術(shù)

作為自發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有寬視角、優(yōu)異的對(duì)比度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性和色彩再現(xiàn)。通常的OLED包含陽(yáng)極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極，它們順序?qū)盈B在基底上。在這方面，HTL、EML和ETL是由有機(jī)和/或有機(jī)金屬化合物形成的薄膜。

當(dāng)將電壓施加到陽(yáng)極和陰極時(shí)，從陽(yáng)極電極注入的空穴通過(guò)HTL移動(dòng)到EML，并且從陰極電極注入的電子通過(guò)ETL移動(dòng)到EML。空穴和電子在EML中重組以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)下降到基態(tài)時(shí)，發(fā)光。空穴和電子的注入和流動(dòng)應(yīng)當(dāng)平衡，使得具有上述結(jié)構(gòu)的OLED具有優(yōu)異的效率。

包含空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層(通常分別縮寫為HIL、HTL和EBL)的有機(jī)電致發(fā)光器件屬于現(xiàn)有技術(shù)AMOLED顯示器的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。用于空穴注入層和/或空穴傳輸層的現(xiàn)有技術(shù)空穴傳輸基質(zhì)化合物可以由化合物C1表示：

所述化合物C1稱作N-([1,1'-聯(lián)苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴基-2-胺，CAS 1242056-42-3。

現(xiàn)有技術(shù)的空穴注入材料和/或p型摻雜劑可以由化合物HATCN、PD1和PD2表示：

作為現(xiàn)有技術(shù)EBL基質(zhì)的一個(gè)實(shí)例，可以使用化合物C2，

或C3，

然而，仍然需要改善有機(jī)發(fā)光器件的性能。因此，本發(fā)明的目的是提供一種克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)的有機(jī)發(fā)光器件，特別是具有改善的性能的有機(jī)發(fā)光二極管。

發(fā)明內(nèi)容

上述目的是通過(guò)一種有機(jī)發(fā)光二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)的，所述有機(jī)發(fā)光二極管包含陽(yáng)極、發(fā)光層、空穴傳輸層和電子阻擋層，其中空穴傳輸層和電子阻擋層布置在陽(yáng)極與發(fā)光層之間，并且電子阻擋層與發(fā)光層相鄰并接觸，其中所述電子阻擋層包含下式(I)的化合物：

其中Ar¹、Ar²和Ar³獨(dú)立地選自C₆～C₄₈芳基，并且Ar¹～Ar³中的至少一個(gè)由下式(II)表示：

其中空穴傳輸層包含空穴傳輸基質(zhì)化合物，其中空穴傳輸基質(zhì)化合物的最高占據(jù)分子軌道的能級(jí)比上述化合物C1(CAS 1242056-42-3)的最高占據(jù)分子軌道的能級(jí)更負(fù)，

其中最高占據(jù)分子軌道的相應(yīng)能級(jí)是將真空能級(jí)作為零在絕對(duì)能量刻度(energyscale)上確定的。