[發(fā)明專利]發(fā)光顯示設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010429727.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111987123A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓炅勛;具沅會(huì);金庸喆;沈東敏;曹永德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜誠(chéng);劉敏 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
基板;
絕緣層,其位于所述基板上,并且具有基礎(chǔ)部分和突出部分;
第一電極,其覆蓋所述基礎(chǔ)部分的上部分以及所述突出部分的側(cè)部分和上部分;
堤層,其覆蓋所述絕緣層的一部分和所述第一電極的一部分,并且具有凹形部分;
發(fā)光層,其位于所述第一電極和所述堤層上;以及
第二電極,其位于所述發(fā)光層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中:
所述堤層包括有機(jī)材料;
所述突出部分的所述側(cè)部分具有平面形狀;
所述第一電極沿著所述突出部分的所述側(cè)部分的形狀而設(shè)置;以及
所述發(fā)光層和所述第二電極沿著所述堤層的凹形部分的形狀而設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述堤層的凹形部分被設(shè)置成與所述絕緣層的所述突出部分的所述側(cè)部分對(duì)應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述堤層的凹形部分被單獨(dú)地形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述絕緣層的所述突出部分的所述側(cè)部分包括凹形部分,并且所述第一電極沿著所述突出部分的凹形部分的形狀而設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中:
所述堤層包括無(wú)機(jī)材料;以及
所述堤層的凹形部分沿著所述突出部分的凹形部分的形狀而設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述第一電極包括反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,還包括:
第一封裝層,其沿著所述第二電極的形狀位于所述第二電極上;以及
第二封裝層,其位于所述第一封裝層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,所述第一封裝層的折射率大于所述第二封裝層的折射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示設(shè)備,其中,隨著所述堤層的凹形部分上的位置遠(yuǎn)離所述基板,所述位置處的切線的斜率增大。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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