[發明專利]具有細長電極的離子阱

在審

• 申請號: 202010429171.1
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111986980A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: A·霍洛彌夫;A·馬卡洛夫;J-P·哈奇爾德;D·格林菲爾德;E·丹尼索夫;A·彼德森
• 申請（專利權）人: 塞莫費雪科學(不來梅)有限公司
• 主分類號: H01J49/16
• 分類號: H01J49/16;H01J49/06;H01J49/42
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳潔;周全

1.一種離子阱1，其包含

一個噴射電極2，其用于離子捕獲，具有開口4，所述離子阱1中的離子能夠通過所述開口4在噴射方向E上噴射

其它電極3，其用于離子捕獲

初級繞組5，其連接到RF功率源6

次級繞組7，其與所述初級繞組5耦合，用于轉化所述RF功率源6的RF電壓并且將轉化的RF信號供應到所述噴射電極2

次級繞組7′，其與所述初級繞組5耦合，用于轉化所述RF功率源6的所述RF電壓并且將所述轉化的RF信號供應到所述其它電極3

第一DC電源8

第二DC電源9

控制器50

其中所述噴射電極2和所述其它電極3在縱向方向L上是細長的，

所述縱向方向L與所述噴射方向E之間的夾角α從90°偏離不超過15°，

所述控制器50在一時間段內經由所述次級繞組7將由第一DC電源8提供的第一DC電壓施加到所述噴射電極2，以將所述離子阱中的離子拉到所述噴射電極2的所述開口4，以及經由所述次級繞組7′將由所述第二DC電源9提供的第二DC電壓施加到至少70％的所述其它電極3，以將所述離子阱中的離子推到所述噴射電極2的所述開口4。

2.根據權利要求1所述的離子阱1，其中所述離子阱1包含3個其它電極3。

3.根據權利要求1所述的離子阱1，其中所述離子阱1包含5個其它電極3。

4.根據權利要求1所述的離子阱1，其中所述離子阱1包含7個其它電極3。

5.根據權利要求1至4中的一項所述的離子阱1，其中所述離子阱是彎曲離子阱。

6.根據權利要求1至5中的至少一項所述的離子阱1，其中所述縱向方向L與所述噴射方向E之間的所述夾角α從90°偏離不超過7°，優選地不超過3°。

7.根據權利要求1至6中的至少一項所述的離子阱1，其中所述控制器50在所述時間段內經由所述次級繞組7′將由所述第二DC電源9提供的所述第二DC電壓施加到至少80％的所述其它電極3，以將所述離子阱中的離子推到所述噴射電極2的所述開口4。

8.根據權利要求7所述的離子阱1，其中所述控制器50在所述時間段內經由所述次級繞組7′將由所述第二DC電源9提供的所述第二DC電壓施加到所有其它電極3，以將所述離子阱中的離子推到所述噴射電極2的所述開口4。

9.根據權利要求1至8中的至少一項所述的離子阱1，其中所述控制同時經由所述次級繞組7將由第一DC電源8提供的第一DC電壓施加到所述噴射電極2，以將所述離子阱中的離子拉到所述噴射電極2的所述開口4，以及經由所述次級繞組7′將由所述第二DC電源9提供的第二DC電壓施加到所述至少70％的所述其它電極3，以將所述離子阱中的離子推到所述噴射電極2的所述開口4。

10.根據權利要求1至9中的至少一項所述的離子阱1，其中施加到所述噴射電極2的所述第一DC電壓與施加到所述其它電極3的所述第二DC電壓之間的電壓差在50V與800V之間，優選地在100V和600V之間，并且特別優選地在200V與400V之間。

11.根據權利要求1至10中的至少一項所述的離子阱1，其中所述離子阱包含聚焦透鏡10，所述聚焦透鏡10被布置用于所述噴射電極2的所述開口4下游的噴射的離子，并且聚焦所述噴射的離子。

12.根據權利要求11所述的離子阱1，其中所述聚焦透鏡10具有比所述噴射電極2的所述開口4大的開口11，所述噴射的離子被引導到所述開口11中。