[發明專利]垂直腔面發射激光器

在審

• 申請號: 202010428979.8
• 申請日: 2016-05-31
• 公開（公告）號: CN111564754A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: P·H·格拉赫;R·金
• 申請（專利權）人: 通快光電器件有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/183;H01S5/42
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李光穎

1.一種垂直腔面發射激光器(100)，包括第一電接觸部(105)、基底(110)、第一分布式布拉格反射器(115)、有源層(120)、第二分布式布拉格反射器(130)和第二電接觸部(135)，其中，所述垂直腔面發射激光器包括至少兩個電流孔徑層(125)，所述至少兩個電流孔徑層被布置在所述有源層(120)下方或上方，其中，所述電流孔徑層(125)中的每個電流孔徑層包括Al_yGa_(1-y)As層，其中，所述至少兩個電流孔徑層(125)中的第一電流孔徑層(125a)相比于所述至少兩個電流孔徑層(125)中的第二電流孔徑層(125b)被布置為更靠近所述有源層(120)，其中，所述第一電流孔徑層(125a)包括第一電流孔徑(122a)，所述第一電流孔徑具有相比于所述第二電流孔徑層(125b)的第二電流孔徑(122b)更大的尺寸。

2.根據權利要求1所述的垂直腔面發射激光器(100)，還包括至少一個Al_yGa_(1-y)As層，其中0.95≤y≤1且厚度為至少40nm，其中，所述Al_yGa_(1-y)As層借助至少一個氧化控制層(119、125b)被分離在至少兩個子層(118、125a)中。

3.根據權利要求2所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述至少一個氧化控制層(119、125b)的特征在于厚度在0.7nm與3nm之間。

4.根據前述任一權利要求所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述至少兩個電流孔徑層(125)中的每個電流孔徑層包括具有一個或多個氧化控制層的Al_yGa_(1-y)As層。

5.根據前述任一權利要求所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述第二電流孔徑被布置在距所述有源層(120)對應于所述垂直腔面發射激光器(100)的發射波長一半的整數倍的距離處。

6.根據前述任一權利要求所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述第一分布式布拉格反射器(115)或所述第二分布式布拉格反射器(130)包括所述至少一個Al_yGa_(1-y)As層。

7.根據權利要求2、3或4所述的垂直腔面發射激光器，其中，所述氧化控制層(119、125b)的材料包括Al_xGa_(1-x)As，其中0≤x≤0.9。

8.根據權利要求2或3所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述至少一個Al_yGa_(1-y)As層的特征在于y0.99，并且其中，所述至少一個Al_yGa_(1-y)As層借助至少兩個氧化控制層(119、125b)被分離，并且所述氧化控制層(119、125b)的材料包括Al_xGa_(1-x)As，其中0.4≤x≤0.6。

9.根據權利要求2或3所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述至少一個氧化控制層(119、125b)的厚度包括在所述Al_yGa_(1-y)As層的總厚度的3％與10％之間。

10.根據前述任一權利要求所述的垂直腔面發射激光器(100)，其中，所述至少一個Al_yGa_(1-y)As層中的至少一個Al_yGa_(1-y)As層包括錐形氧化輪廓(126)，具體而言，其中，所述第二電流孔徑包括錐形氧化輪廓。