[發明專利]一種全鈍化接觸異質結電池及制造方法

在審

• 申請號: 202010427662.2
• 申請日: 2020-05-20
• 公開（公告）號: CN111564517A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 萬義茂;胡玉婷;崔艷峰;袁聲召;莊宇峰;黃強;林海峰
• 申請（專利權）人: 東方日升（常州）新能源有限公司;東方日升新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0745
• 分類號: H01L31/0745;H01L31/18
• 代理公司: 南京中高專利代理有限公司 32333
• 代理人: 祝進

1.一種全鈍化接觸異質結電池，包括襯底(1)，其特征在于：還包括

第一氧化硅層(2)，所述第一氧化硅層(2)設置在所述襯底(1)的上表面上；

第二氧化硅層(3)，所述第二氧化硅層(3)設置在所述襯底(1)的下表面上；

n型鈍化接觸層(4)，所述n型鈍化接觸層(4)設置在第一氧化硅層(2)上表面上；

p型鈍化接觸層(5)，所述p型鈍化接觸層(5)設置在第二氧化硅層(3)下表面上；

透明導電層(6)，所述透明導電層(6)設置在n型鈍化接觸層(4)上表面上和p型鈍化接觸層(5)下表面上；

電極(7)，所述電極(7)設置在透明導電層(6)背離襯底(1)方向的外表面上。

2.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述n型鈍化接觸層(4)為n⁺（poly-Si）、n⁺（SiC）、 n⁺（SiO）、n⁺（SiN）中的一種。

3.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述p型鈍化接觸層(5)為p⁺ (poly-Si)、p⁺（SiC）、p⁺（SiO）、p⁺（SiN）中的一種。

4.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述的氧化硅層（2,3）厚度為0.5-3nm。

5.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述襯底(1)是n型或者p型的硅片。

6.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述透明導電層(6)為TCO。

7.根據權利要求6所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述透明導電層(6)為AZO、ITO、IWO、FTO、IOH的一種。

8.根據權利要求1所述的全鈍化接觸異質結電池，其特征在于：所述的電極(7)為 Au、Ag、Cu中的一種。

9.一種全鈍化接觸異質結太陽電池制備方法，其特征在于：包括：

1）雙面制絨：將襯底(1)制絨，形成具有陷光作用的絨面結構；

2）雙面氧化：在襯底(1)的上下表面分別形成第一氧化硅層(2)和第二氧化硅層(3)；

3）沉積n型鈍化接觸層(4)：在第一氧化硅層(2)的上表面沉積n型鈍化接觸層(4)；

4）沉積p型鈍化接觸層(5)：在第二氧化硅層(3)的下表面沉積p型鈍化接觸層(5)；

5）高溫晶化：在600-1000℃高溫工藝下對鈍化接觸層進行晶化、激活摻雜原子；

6）沉積透明導電層(6)：采用PVD或RPD技術在n型鈍化接觸層(4)和p型鈍化接觸層(5)的外側沉積透明導電層(6)；

形成電極(7)：在透明導電層(6)的外側形成金屬電極(7)。

10.根據權利要求9所述的鈍化接觸異質結太陽電池制備方法，其特征在于：步驟3）中的所述的n型鈍化接觸層(4)，其為n⁺（poly-Si）、n⁺（SiC）、 n⁺（SiO）、n⁺（SiN）中的一種。

11.根據權利要求9所述的鈍化接觸異質結太陽電池制備方法，其特征在于：步驟4）中的所述的p型鈍化接觸層(5)為p⁺ (poly-Si)、p⁺（SiC）、p⁺（SiO）、p⁺（SiN）中的一種。